Полное описание
> Чибисов, Андрей Николаевич. Теоретические исследования влияния дефектов на электронные и структурные свойства кислородсодержащих наноразмерных материалов : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Чибисов Андрей Николаевич ; Хабаровский федеральный исследовательский центр Дальневосточного отделения РАН. - 2020. - 33 с. : ил. - Библиогр.: с. 31-33. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09 | 621.384-022.532-03(043) |
Кл.слова (ненормированные): HIGH-K-ДИЭЛЕКТРИКИ -- МАЛЫЕ КЛАСТЕРЫ -- МАТЕРИАЛЫ -- НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА -- ОКСИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- УЛЬТРАТОНКИЕ СЛОИ
Доп. точки доступа:
Российская академия наук. Дальневосточное отделение. Хабаровский федеральный исследовательский центр
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар21-2193)>
Шифр в сводном ЭК: 4df04da881ce1b4c5851c35464fd94d4
Новые химические реактивы и биохимические препараты для научных исследований : Информ. сб. / Рос.АН. Вып. 11, 1996. - 48 с. - Текст : непосредственный.Акустический журнал / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1955г. - Текст : непосредственный.Астрономический вестник.Исследования солнечной системы / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Астрономический журнал / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1924г. - Текст : непосредственный.Биоорганическая химия / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1975г. - Текст : непосредственный.Биохимия : журнал / Рос. акад. наук. - Журнал выходит с 1936г. - Текст : непосредственный.Вестник Российской академии наук : Науч. и обществ.-полит. журн. / Президиум РАН. - Журнал выходит с 1931г. r=on-line. - Текст : непосредственный.Вопросы истории естествознания и техники / Российская академия наук, Институт истории естествознания и техники им. С. И. Вавилова (Москва). - Журнал выходит с 1980г. - Текст : непосредственный.Геология рудных месторождений : Журн. по всем теорет. и прикладным аспектам генезиса рудных месторождений. / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1959г. - Текст : непосредственный.Геомагнетизм и аэрономия / РАН(Российская академия наук). - Журнал выходит с 1961г. - Текст : непосредственный.Государство и право : ежемес. журн. / РАН. Ин-т государства и права. - Журнал выходит с 1927г. - Текст : непосредственный.Журнал вычислительной математики и математической физики / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1961г. - Текст : непосредственный.Журнал физической химии / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1930г. r=on-line. - Текст : непосредственный.Механика твердого тела. Механика твердого тела / Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского (Москва). - Журнал выходит с 1966г. - Текст : непосредственный.Известия Российской академии наук . Серия физическая / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1936г. - Текст : непосредственный.Известия Российской академии наук. Серия химическая / Российская академия наук, Институт органической химии им. Н.Д. Зелинского. - Журнал выходит с 1936г. - Текст : непосредственный.Исследование Земли из космоса / РАН(Российская академия наук). - Журнал выходит с 1980г. - Текст : непосредственный.Квант : науч.-попул.физ.-мат.журн. / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1970г. - Текст : непосредственный.Координационная химия : журн. / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1975г. - Текст : непосредственный.Космические исследования / Российская академия наук. - Журнал выходит с 1963г. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАзаматов З.Т. Дефекты в материалах квантовой электроники / З. Т. Азаматов, З. Т. Азаматов, П. А. Арсеньев, Х. С. Багдасаров ; Ред. М. Т. Шпак, 1991. - 259 c. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Журавлева Л.В. Электроматериаловедение : учебное пособие / Л. В. Журавлева, 2008. - 351 с. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.Hennemann O.-D. Handbuch Fertigungstechnologie Kleben : монография / O.-D. Hennemann, W. Brockmann, H. Kollek, 1992. - XIII,768 S. S. - Текст : непосредственный.Силкин Н.И. Оптическая и ЭПР-спектроскопия материалов квантовой электроники и нелинейной оптики на основе кристаллов фторидов, семейств дигидрофосфата и сульфата калия : специальность 01.04.05 "Оптика", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Н. И. Силкин, 2009. - 40 с. - Текст : непосредственный.Протасова Л.Г. Физико-химические основы формирования структуры и свойств стекол Se Sy, Se S Me и Se S Me (Me=As, Sb, Ge) для оптоэлектроники : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Л. Г. Протасова, 2002. - 42 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фурса Т.В. Механоэлектрические преобразования в композиционных диэлектрических материалах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Т. В. Фурса, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин, 2001. - 367 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Смоликов А.А. Наноматериалы : разговорник / А. А. Смоликов, 2006. - 83 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 126 : Physics of laser crystals : Proc. of the NATO advanced research workshop on physics of laser crystals, Kharkiv-Stary Saltov, Ukraine, 26 Aug. - 2 Sept., 2002 / NATO advanced research workshop on physics of laser crystals (2002; Kharkiv), 2003. - XIV,255 p. p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ильичев В.А. Комплексы редкоземельных металлов с гетероциклическими лигандами для органических светоизлучающих диодов / В. А. Ильичев, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Лямин А.Н. Разработка и исследование наноструктурированных поверхностей полимеров для электроники и медицины / А. Н. Лямин, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗавьялов Д.В. Кинетические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в сильных внешних полях : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04 / Д. В. Завьялов, 2010. - 29 с. - Текст : непосредственный.Буряков А.М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. М. Буряков, 2017. - 25 с. - Текст : непосредственный.Шунаев В.В. Электронные свойства и энергетические параметры модифицированных графен-фуллереновых комплексов с позиции применения в наноэлектронике : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / В. В. Шунаев, 2016. - 20 с. - Текст : непосредственный.Иванов М.С. Оксиды переходных металлов и управляемые туннельные переходы на их основе для создания устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / М. С. Иванов, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Петров М.В. Энергетический спектр электронов поверхности оксидов переходных элементов с диэлектрическим покрытием : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / М. В. Петров, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Чибисов, Андрей Николаевич. Теоретические исследования влияния дефектов на электронные и структурные свойства кислородсодержащих наноразмерных материалов : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Чибисов Андрей Николаевич, 2020. - 33 с. - Текст : непосредственный.Чжо Зин Пьо.Формирование пленок дисульфида молибдена для электроники методом магнетронного распыления стехиометрических мишеней : 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Чжо Зин Пьо, 2021. - 16 с. - Текст : непосредственный.Труфанова, Маргарита Константиновна. Получение наноструктур галлия и теллура методом термического испарения : специальность 2.2.3. Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Труфанова Маргарита Константиновна, 2025. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽