• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Победа, С. А. Создание поведенческой модели LDMOS транзистора на основе искусственной MLP нейросети и ее описание на языке Verilog-A / С. А. Победа, М. И. Черных, Ф. В. Макаренко, К. В. Зольников. - DOI 10.12737/2219-0767-2021-14-2-28-34. - Текст : непосредственный // Моделирование систем и процессов. - 2021. - Т 14, N 2. - С. 28-34. - Библиогр. в конце ст.

    ГРНТИ УДК
    28.23.37621.382.323
    47.14004.032.26

    Рубрики:
    Искусственный интеллект -- Нейронные сети -- Применение в электротехнике

    Кл.слова (ненормированные): LDMOS -- Verilog-A -- Python -- поведенческая модель -- искусственная нейросеть
    Аннотация: В статье говорится о создании поведенческой модели металлооксидных латеральных транзисторов (LDMOS), базирующихся на нейронной сети типа многослойный персептрон. Модель идентифицируется с использованием алгоритма обратного распространения. Продемонстрирован процесс создания модели ИНС с использованием Pytorch, фреймворка машинного обучения для языка Python, с последующим переносом на стандартный язык моделирования аналоговых схем Verilog-A.
    Доп. точки доступа:
    Черных, М.И.
    Макаренко, Ф.В.
    Зольников, К.В.

    Экз-ры полностью 92a86a787a329d85c6597094aa9d729b/2021/14/2
    Нет сведений об экземплярах
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -223104-781823)

    Шифр в сводном ЭК: abac0062caf1c75f9aa32d14914a1ac3




    Заказ фрагмента документа ₽