• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Толстой, В. П. Основы нанотехнологии ионного наслаивания : учебное пособие / В. П. Толстой ; Санкт-Петербургский государственный университет. - Санкт-Петербург : Издатель Толстой Валерий Павлович, 2020. - 141 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 100 экз. - ISBN 978-5-600-02586-8. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    81.09.30620.22-022.532-047.84
    81.13.30

    Рубрики:
    Наноструктурные материалы -- Производство
    Нанотехнологии

    Аннотация: В учебном пособии впервые излагаются основы химической сборки наноматериалов методом ионного наслаивания (ИН) как одного из современных методов, применяемых в нанотехнологии. В тексте последовательно рассматриваются суть метода ИН, краткая история его развития, закономерности адсорбции ионов неорганических соединений на границе раздела оксид (гидроксид) металла - водный раствор, алгоритм поиска оптимальных условий послойного синтеза с использованием программ расчета равновесий в растворах комплексных соединений, анализируются варианты морфологии синтезированных нанослоёв, излагаются принципы устройства основных типов лабораторных установок для синтеза и рассматриваются примеры синтеза нанослоёв широкого круга соединений. В заключение приводятся примеры применения метода ИН для решения практически важных задач создания активных элементов электрохимических и газовых сенсоров, коррозионно-стойких защитных покрытий на поверхности металлов и нано- и микрокапсул для адресной доставки лекарственных препаратов, а также текст методических указаний к лабораторной работе, посвященной синтезу методом ИН слоёв гидратированного оксида марганца (III, IV). Учебное пособие предназначено для студентов и аспирантов вузов, специализирующихся в области химии твердого тела, неорганической химии и химии наноматериалов, а также специалистов, работающих в данных областях.
    Доп. точки доступа:
    Санкт-Петербургский государственный университет

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-20/79161)

    Шифр в сводном ЭК: 79a2ee8f820e60b4b6a8614a38a4634c



    Заказ фрагмента документа ₽