Полное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков, 1994. - 164 c. - Текст : непосредственный.Чураев С.О. Встраиваемые системы контроля параметров интегральных схем пикосекундного разрешения / С. О. Чураев, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Special issue on high-speed circuits : материалы временных коллективов / Ed.: M. Mokhtari, M. G. Stubbs. - 1095-1210 p. p. - Текст : непосредственный.Papers presented at the 12th IEEE VLSI test symposium,1994 / VLSI test symposium (12 ; 1994 ; New York) , 1995. - 529-649 p. p. - Текст : непосредственный.Курейчик В.М. Контролепригодное проектирование и самотестирование СБИС: проблемы и перспективы / В. М. Курейчик, С. И. Родзин, 1994. - 174 c. - Текст : непосредственный.Микросхемы интегральные серии КР580.. К744 / "Электростандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1993. - 224 c. - Текст : непосредственный.Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий / И. П. Потапов, В. М. Антимиров, Ю. К. Фортинский, К. И. Таперо, 2007. - 121 с. - Текст : непосредственный.Овечкин Р.М. Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них : специальность 05.12.07 "Антенны, СВЧ устройства и их технологии" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. М. Овечкин, 2004. - 16 c. - Текст : непосредственный.Packaging handbook, 1991. - Pag.var. мкф. - Текст : непосредственный.Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сибагатуллин А.Г. Повышение помехоустойчивости аналого-цифровых систем на кристалле средствами адаптивной коррекции сложных функциональных блоков / А. Г. Сибагатуллин, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный.Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАкуленок М.В. Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. В. Акуленок, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Бокша В.В. Разработка основ технологии создания маскирующих слоев для БИС методом лазерной вакуумной проекционной литографии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Бокша, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.Kahler J.D. Selektive Wolframauffullung fur CoSi2-Kontakte in grossintegrierten Schaltungen : Diss. / J.D.K@:ahler, 1999. - 124 S. - Текст : непосредственный.Козлитин А.И. Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. И. Козлитин, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный.Епимахов И.Д. Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Д. Епимахов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Редичев Е.Н. Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Н. Редичев, 2006. - 26 с. - Текст : непосредственный.Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / Е. В. Булыгина, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный.Путря М.Г. Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / М. Г. Путря, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный.Каратунов Ю.В. Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Ю. В. Каратунов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный.Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный.Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽