Приложение
для AndroidПолное описание
Девонисский, В. Ю. Из опыта применения германиевых диодов / В. Ю. Девонисский ; Московский областной совнархоз. - Москва : Центральное бюро технической информации, 1959. - 32, [3] с. : ил. - Библиогр. и указ. в конце кн. - 1000 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2 |
Рубрики:
Диоды полупроводниковые
Аннотация: Данное издание посвящено опыту применения германиевых силовых диодов в выпрямителях радиотехнических устройств. В результате их применения в свое время удалось решить вопрос создания малогабаритных, надежных и высокоэкономичных выпрямителей для питания радиоустройств постоянным током.
Доп. точки доступа:
Московский областной совнархоз
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д1/14563)
Шифр в сводном ЭК: 3ff610deef485db69bb77e5728ec89f1
Емельянов В.И. Жакетная формовка : (опыт Электростальского завода тяжелого машиностроения) / В. И. Емельянов, С. И. Князев, Р. У. Сулковская, 1959. - 17, [1] с. - Текст : непосредственный.Прянишников И.С. Основные тигли для индукционных печей : (из опыта электрометаллургического завода "Электросталь") / И. С. Прянишников, 1959. - 12 с. - Текст : непосредственный.Девонисский В.Ю. Из опыта применения германиевых диодов / В. Ю. Девонисский, 1959. - 32, [3] с. - Текст : непосредственный.Тюрин В.Ф. Новые способы сварки в среде углекислого газа : обзор / В. Ф. Тюрин, 1958. - 30, [1] с. - Текст : непосредственный.Покровский Н.И. Печатные схемы - основа автоматизации производства радиоэлектронной и электротехнической аппаратуры : обзор зарубежного опыта / инж. Н. И. Покровский, 1959. - 20, [2] с. - Текст : непосредственный.Шастов А.П. Нормализация деталей штампов / А. П. Шастов, 1959. - 23, [1] с. - Текст : непосредственный.Корнеев Л.А. Изделия из стеклянного волокна во Франции / Л. А. Корнеев, 1959. - 30, [1] с. - Текст : непосредственный.Легкая и пищевая промышленность Подмосковья : бюллетень технико-экономической информации / Московский областной совнархоз. - Журнал выходит с 1958г. - Текст : непосредственный.
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРовдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А. А. Ровдо, 2000. - 286 с. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А. М. Минарский, П. Б. Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Волкова Е.В. Полупроводниковые диоды : выставочные материалы / Е. В. Волкова, С. В. Оболенский, 2014. - 108 с. - Текст : непосредственный.Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные диоды: физика, технология, применение / А. К. Шухостанов, 1997. - 208 с. - Текст : непосредственный.Ионычев В.К. Механизмы формирования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов : монография / В. К. Ионычев, 2017. - 99 с. - Текст : непосредственный.
Report series / Univ. of Auckland. Dep.of mathematics . 537 : Dirichlet-to Neumann techniques for the plazma-waves in a slot-diod / A.B.Mikhailova, B.S.Pavlov, V.I.Ryzhii, 2005. - 27 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.1, 1990. - 1059 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.2, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Физические основы радиоэлектроники. Полупроводниковые диоды : Учеб. пособие по курсу "Элемент. база радиоэлектроники" / М.Д.Воробьев;Под ред.А.А.Жигарева, 1992. - 80 с. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Ким Ун Се.Стабильность термометрических характеристик полупроводниковых диодов при криогенной температуре / Ким Ун Се,В.И.Дацков, 1991. - 8 с. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 59, 1992. - 109,B1-D18 p. p. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А. А. Ровдо, 2000. - 286 с. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А. М. Минарский, П. Б. Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Аблин А.Н. Транзисторные и варакторные устройства. Анализ и синтез / А. Н. Аблин, Л. Я. Могилевская, Ю. Л. Хотунцев, 1995. - 160 c. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Хрулев А.К. Зарубежные диоды и их аналоги : Справочник:В 6-ти т. Т. 3 : Каталог, 2000. - 959 с. - Текст : непосредственный.Супрунова Е.Ф. Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Ф. Супрунова, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Триполитов С.В. Микросхемы, диоды, транзисторы / С. В. Триполитов, А. В. Ермилов, 1994. - 381 c. - Текст : непосредственный.Волкова Е.В. Полупроводниковые диоды : выставочные материалы / Е. В. Волкова, С. В. Оболенский, 2014. - 108 с. - Текст : непосредственный.Суконкин И.А. Полупроводниковые приборы в биомедицинской технике : выставочные материалы / И. А. Суконкин, А. Ю. Куликов, А. И. Фесенко, 2014. - 79 с. - Текст : непосредственный.Мельников Г.Д. Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени к в форме науч. докл. / Г. Д. Мельников, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Аксенов А.И. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин, 1993. - 222 с. - Текст : непосредственный.Разумихин К.А. Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах", 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. А. Разумихин, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Горбачев А.И. Полупроводниковые СВЧ диоды / А. И. Горбачев, С. В. Кукарин, 1968. - 64 c. - Текст : непосредственный.Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные диоды: физика, технология, применение / А. К. Шухостанов, 1997. - 208 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров / В. П. Черепанов, А. К. Хрулев, Ю. Н. Савельев, 1999. - 223 с. - Текст : непосредственный.Якименко А.Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах / А. Н. Якименко, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания