Полное описание
> Обвинцев, О. А. Повышение качества поверхности полупроводникового кремния при лезвийной обработке с помощью дополнительного деформирования срезаемого слоя : специальность 05.03.01 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. А. Обвинцев. - Екатеринбург, 1999. - 20 с. : ил. - Текст : непосредственный. Библиогр.:с. 19 (7 назв.)
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.382.002:658.562(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР99-сф96)>
Шифр в сводном ЭК: 2d35a2f6d9979d3a1bc0ba173bd8d5ba
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Чебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Обвинцев О.А. Повышение качества поверхности полупроводникового кремния при лезвийной обработке с помощью дополнительного деформирования срезаемого слоя : специальность 05.03.01 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. А. Обвинцев, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Кричевский С.В. Разработка приборов анализа и повышения степени чистоты поверхности диоксида кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.01 / С. В. Кричевский, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Чжу Шичю.Исследование локальных характеристик полупроводниковых структур методом поверхностного электронно-индуцированного потенциала в растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.04 / Чжу Шичю, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный. Krause J. Entwicklung und Verifikation einer Methode zur akustomikroskopischen Schichtdickenmessung an Mehrschichtsystemen : Diss. / J.Krause, 1992. - 65 S. - Текст : непосредственный. Хаханина Т.И. Научные основы методов контроля высокочистых веществ и безотходных технологий очистки поверхности полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.11.13 / Т. И. Хаханина, 2002. - 56 с. - Текст : непосредственный. Жарких А.П. Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. П. Жарких, 2005. - 17 с. - Текст : непосредственный. Сергеев В.А. Синтез методов и средства неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий на основе моделей неизотермического токораспределения в приборных структурах : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / В.А. Сергеев, 2005. - 42 c. - Текст : непосредственный. Зенин В.В. Обеспечение качества микросоединений в полупроводниковых изделиях в процессе их разработки и серийного производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. В. Зенин, 1997. - 32 с. - Текст : непосредственный. Преженцев М.Д. Разработка и внедрение в условиях массового производства методики отбраковки потенциально-ненадежных полупроводниковых приборов и интегральных схем, основанной на использовании коронного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / М. Д. Преженцев, 1995. - 13 с. - Текст : непосредственный. Григорьева Э.В. Определение элементного состава поверхностей и границ раздела с помощью деконволюции рентгенофотоэлектронных спектров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:02.00.04 / Э. В. Григорьева, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный. Hannot R. Desorption und Nachionisation von Submonolagen unter Verwendung ultrakurzer Laserpulse : Diss. / R.Hannot, 1991. - 64 S. - Текст : непосредственный. Тявловский К.Л. Формирование потенциального рельефа на поверхности кремния и арсенида галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / К. Л. Тявловский, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽