Приложение
для AndroidПолное описание
Semiconductor interfaces at the sub-nanometer scale : proc.of the NATO advaced research workshop on physical properties of semiconductor interfaces at the sub-nanometer scale Riva del Garda,31 Aug.-2 Sept.1992 / сост.ed. H. W.M. Salemink, сост.ed. M. D. Pashley. - Dordrecht [etc.] : Kluwer, 1993. - 256 p. : ill. - (NATO advanced study institutes series. Ser.E, Applied sciences ; vol.243). - ISBN 0-7923-2397-1. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце статей.Указ.:с.251-256
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:532.6(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Поверхностные явления -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Salemink, H.W.M.\ed.\
Pashley, M.D.\ed.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/9632/243)
Шифр в сводном ЭК: 581f330d43bcdd20f8bad91ff2ae0e91
Flash reaction processes : материалы временных коллективов / Ed. T. W. Davies, 1995. - VIII,375 p. p. - Текст : непосредственный.Application of particle and laser beams in materials technology : материалы временных коллективов / Ed. P. Misaelides, 1995. - XI,678 p. p. - Текст : непосредственный.Science and technology of electroceramic thin films : материалы временных коллективов / Ed.: O. Auciello, R. Waser, 1995. - XVI,456 p. p. - Текст : непосредственный.Forces in scanning probe methods : материалы временных коллективов / Ed. H.-J. Guntherodt, 1995. - XIII,644 p. p. - Текст : непосредственный.Mobile particulate systems : материалы временных коллективов / Ed.: E. Guazzelli, L. Oger, 1995. - XVI,390 p. p. - Текст : непосредственный.Low dimensional structures prepared by epitaxial growth or regrowth on patterned substrates : материалы временных коллективов / Ed. K. Eberl, 1995. - XI,386 p. p. - Текст : непосредственный.Heat transfer enhancement of heat exchangers : материалы временных коллективов / Ed. S. Kakac, 1999. - X, 676 p. 676 p. - Текст : непосредственный.Underground storage of natural gas:theory and practice : материалы временных коллективов / Ed. M. R. Tek, 1988. - XII,458 p. p. - Текст : непосредственный.Physics and materials science of high temperature superconductors,II : материалы временных коллективов / Ed. R. Kossowsky, 1992. - XCI,815 p. p. - Текст : непосредственный.Crucial issues in semiconductor materials and processing technologies : материалы временных коллективов / Ed. S. Coffa, 1992. - XIX,538 p. p. - Текст : непосредственный.interfacial interactions in polymeric composites : сборник научных трудов / Ed.by G. Akovali, 1993. - 455 p. - Текст : непосредственный. Multicomponent and multilayered thin films for advanced microtechnologies: techniques, fundamentals and devices : сборник научных трудов / Ed.: O. Auciello, J. Engemann, 1993. - 633 p. - Текст : непосредственный.Phonons in semiconductor nanostructures : сборник научных трудов / Ed. J. P. Leburton, 1993. - 509 p. - Текст : непосредственный.Instrumentation for combustion and flow in engines : сборник научных трудов / Ed. D. F.G. Durao, 1989. - VIII,395 p. p. - Текст : непосредственный.Structure-property relationships in surface-modified ceramics : материалы временных коллективов / Ed. C. J. McHargue, 1989. - X, 522 p. 522 p. - Текст : непосредственный.Scanning tunneling microscopy and related methods : материалы временных коллективов / Ed. R. J. Behm, 1990. - X,525 p. p. - Текст : непосредственный.Mechanical properties and deformation behavior of materials having ultra-fine microstructures : материалы временных коллективов / Ed. M. Nastasi, 1993. - XIV,624 p. p. - Текст : непосредственный.behavior of systems in the space environment : Proc.of the NATO advanced study inst.on the behavior of systems in the space environment,July 7-19 1991,Pitlochry,Scotland / ed. R. N. DeWitt, 1993. - XII,962 p. p. - Текст : непосредственный. Fundamentals and standards in hardware description lanquages : материалы временных коллективов / Ed. J. P. Mermet, 1993. - XII,466 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыPapers from the 26th conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, 17-21 Jan.1999, San Diego(Ca) / Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (26th ; 1999 ; San Diego(Ca)) , 1999. - 1309-1895 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the 23rd annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, La Jolla(Ca),Jan. 21-25, 1996. Papers from the first AVS topical conference on magnetic surfaces, interfaces, and nanostructures, 1996, S.l. / Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (23rd ; 1996 ; La Jolla,Ca) , 1996. - 2399-3217 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the 22nd annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces,held in Scottsdale(Az),Jan.8-12,1995 / PCSI-22, 1995. - 1391-1932 p. p. - Текст : непосредственный.Ordering at surfaces and interfaces : Proc.of the third NEC symp.,Hakone,Japan,Oct.7-11,1990 / Ed. A. Yoshimori, 1992. - 379 p. - Текст : непосредственный.Semiconductor interfaces : formation and properties:Proc.of the workshop,Les Houches,Febr.24-Mar.6,1987 / Ed. G. Le Lay, 1987. - XI,389 p. p. - Текст : непосредственный.Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников : Тез. докл. респ. конф. (29-31 мая 1990 г.) / Львовский политехнический ин-т им. Ленинского комсомола, 1990. - 192 с. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 20th annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces,1993,New York / Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (20 ; 1993 ; New York) , 1993. - A20,1203-1758 p. p. - Текст : непосредственный.Semiconductor interfaces at the sub-nanometer scale : Proc.of the NATO advaced research workshop on physical properties of semiconductor interfaces at the sub-nanometer scale Riva del Garda,31 Aug.-2 Sept.1992 / сост.ed. H. W.M. Salemink, сост.ed. M. D. Pashley, 1993. - 256 p. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽