ГПНТБ России - Полное описание

Государственная публичная
научно-техническая библиотека России

Основана в 1958 году

Полное описание

Aaen, P. H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood. - Cambridge, Ma [etc.] : Cambridge univ. press, 2007. - XV, 362 p. : ill. - (Cambridge RF and microwave engineering series / ed.: S. C. Cripps). - Библиогр. в конце разд. - ISBN 978-0-521-87066-5. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323

Рубрики:
Транзисторы полевые

Доп. точки доступа:
Pla, J. A.
Wood, J.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/27493)

Шифр в сводном ЭК: cfaf560f4260410b0adee974579abcd6

Fundamentals of nonlinear behavioral modeling for RF and microwave design / ed.: J. Wood, D. E. Root, 2005. - XII, 221 p. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.

Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.

Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с. - Текст : непосредственный.Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный.Lee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный.Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный.Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный.Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный.Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный.Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный.Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный.HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко, 2010. - 407 с. - Текст : непосредственный.Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - XVII, 218 p. - Текст : непосредственный.Падеров В.П. Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирования МДП структур на соединениях А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Падеров, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В. А. Высоцкий, О. И. Коньков, А. Г. Смирнов, Е. И. Теруков, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : монография, 1995. - 637 p. - Текст : непосредственный.Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Люмаров П.П. Применение эрмитовых поликубических интерполяционных сплайнов на сетках криволинейной формы для электрических моделей МОП-транзисторов с субмикронными размерами / П. П. Люмаров, 1990. - 39 с. - Текст : непосредственный.Малеев Н.А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидгаллиевых микроструктур с барьером Шоттки : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Н. А. Малеев, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Самсоненко Б.Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. Н. Самсоненко, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Показать все результаты

Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.

Заказ фрагмента документа ₽