Полное описание
> Новокрещенова, Е. П. Введение в материаловедение полупроводников : учеб. пособие / Е. П. Новокрещенова. - Воронеж : [б. и.], 2010. - 171 с. : ил. - Библиогр.: с. 169 (8 назв.). - 250 экз. - Текст : непосредственный. В надзаг.: Воронеж. гос. техн. ун-т
ГРНТИ УДК 45.09.31 621.315.592
Рубрики: Полупроводники
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-10/82897)>
Шифр в сводном ЭК: 9ef1d8b940facba2630f32383065fee6
Кузнецов В.В. Исследование параметров низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников в диапазоне СВЧ : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. В. Кузнецов, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный. Пугачев Г.А. Структурно-энергетическое моделирование и управление свойствами в технологии электропроводных бетонов : специальность 05.23.05 "Строительные материалы и изделия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Г. А. Пугачев, 1990. - 40 с. - Текст : непосредственный. Schwab R. Computation of the surface impedance in normal conductors / R. Schwab, 1997. - 13 p. - Текст : непосредственный. Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный. Стрельцов В.Н. Electric potential of ring current-carrying connductor / В. Н. Стрельцов, 1992. - 3 p. . - Текст : непосредственный. Wees B.J.van Quantum ballistic and adiabatic electron transport,studied with quantum point contacts / B. J.van Wees, 1989. - 125 p. - Текст : непосредственный. Казакова А.В. Новые низкоразмерные молекулярные проводники и сверхпроводники на основе катион-радикальных солей : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. В. Казакова, 2008. - 24 с. - Текст : непосредственный. Thorn G.E. Sensoren zur beruhrungslosen Messung der elektrischen Leitfahigkeit dunner Schichten / G. E. Thorn, 1995. - 78 S. - Текст : непосредственный. Никитин М.В. Крутильная деформация квазиодномерного проводника ромбического TaS3 при движении волны зарядовой плотности / М. В. Никитин, 2017. - 23 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Казачковский О.Д. Модель дискретной структуры электронного поля в проводниках / О.Д.Казачковский, 1995. - 50 c. - Текст : непосредственный. Лемешев В.А. Одномерные нестационарные задачи электромагнитоупругости проводников : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.02.04 / В. А. Лемешев, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный. Рощин В.М. Технология проводящих и диэлектрических материалов : учебное пособие / В. М. Рощин, 2007. - 192 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с. Братов В.А. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Физика полупроводников / В. А. Братов, 1995. - 94 с. - Текст : непосредственный. Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Шалимова К.В. Физика полупроводников : учебное пособие / К. В. Шалимова, 2010. - 391 с. - Текст : непосредственный. Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный. Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов, 1973. - 223 с. - Текст : непосредственный. Structure and bonding / ed. D. M. P. Mingos. 118 : Semiconductor nanocrystals and silicate nanoparticles / ed. X. Peng [et al.]; with contributions by A. J. Bard, Z. Ding, P. Guyot-Sionnest, F. Liebau, N. Myung [et al.], 2005. - X, 189 p. - Текст : непосредственный. Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 1 : Зонная теория полупроводников, 1992. - 48 с. - Текст : непосредственный. Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 2 : Физика полупроводников, 1992. - 113 с. - Текст : непосредственный. Rockett A. materials science of semiconductors / A. Rockett, 2008. - 622 p. - Текст : непосредственный. Неупорядоченные полупроводники / А. А. Айвазов, Б. Г. Будягин, С. П. Вихров, А. И. Попов, 1995. - 352 с. - Текст : непосредственный. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный. Парменов Ю.А. Физика полупроводников / Ю. А. Парменов, 2002. - 131 с. - Текст : непосредственный. Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники.Теория процессов полупроводниковой технологии : выставочные материалы / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, 1995. - 492 с. - Текст : непосредственный. Леонов В.В. Композиционные материалы на основе полупроводников : учебное пособие / В. В. Леонов, 2002. - 143 с. - Текст : непосредственный. Аждаров Г.Х. Подвижность электронов и дырок в кристаллах твердых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава / Г. Х. Аждаров, Н. А. Агеев, Э. С. Гусейнова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный. Эффекты возбуждения и релаксации в полупроводниках и диэлектриках : сборник научных трудов / Московский инженерно-физ. ин-т, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽