• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Комаровских, Н. В. Физико-химические условия устойчивости гетероструктур пленочных наночипов на основе нитрида галлия : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 02.00.04 / Н. В. Комаровских. - 2013. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-25. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.33621.315.592.9-022.532(043)

    Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ПЛЕНОЧНЫЕ НАНОЧИПЫ
    Аннотация: Определение физико-химических условий устойчивости свободных плёночных наночипов нитрида галлия и гетероструктурных плёночных наночипов X/GaN (X - 6H-SiC, GaAs) методами комплексного компьютерного моделирования.
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар14-1471)

    Шифр в сводном ЭК: 7d6f585bc03fe912c82128a87ece6901



    Заказ фрагмента документа ₽