Полное описание
> Bernhard, N. Halbleiter-Heterostrukturen auf der Basis von amorphem Silizium : Deposition,physikalische Charakterisierung und Anwendungspotential in Dunnfilm-SolarzellenDiss. / N.Bernhard. - Stuttgart, 1994. - VIII,179 S. S. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.167-176
| ГРНТИ | УДК | |
| 44.41.35 | 621.383.51(043) |
Рубрики:
Солнечные батареи кремниевые
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЕВАЯ СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/18853)>
Шифр в сводном ЭК: 8026677aa2a3e8937b02d618b6d6c02d
Шерченков А.А. Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии : учеб. пособие. Ч. 1, 2006. - 164 с. - Текст : непосредственный.Goetzberger A. Photovoltaic solar energy generation / A. Goetzberger, V. U. Hoffmann, T. Asakura, F. Krausz [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Rein S. Lifetime spectroscopy / S. Rein, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Wide-gap chalcopyrites / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineGreen M.A. Third generation photovoltaics / M. A. Green, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Luque A.L. Concentrator photovoltaics / A. L. Luque, A. Viacheslav, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Жеребцов В.А. Эффективность плазменного фотоэлектронного преобразователя энергии с холодными электродами / В. А. Жеребцов, 2009. - 11 с. - Текст : непосредственный.Zweigart S. Herstellung von Cu(In, Ga)Se2 - Dunnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik / S. Zweigart, 2000. - 144 S. - Текст : непосредственный.Halley J.W. Modelling Challenges in solar photovoltaic devices / J. W. Halley, 2001. - 13 p. - Текст : непосредственный.Апенова М.Г. Региоселективная функционализация Cs- и C2-p7-C70(CF3)8: ориентирующее влияние трифторметильных аддендов : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / М. Г. Апенова, 2014. - 26 с. - Текст : непосредственный.Nell M.E.A. Untersuchung der Beryllium-Diffusion fur die Flussigphasenepitaxie von optimierten AlGaAs/GaAs-Solarzellen / M. E.A. Nell, 1992. - 116 S. - Текст : непосредственный.Родоманов Р.Р. Влияние поверхностных состояний на собирание фотогенерированных носителей заряда в структурах с двусторонней чувствительностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. Р. Родоманов, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Guillen Arqueros C. Propiedades estructurales y opticas de laminas delgadas de CuInSe2 electrodepositadas para su aplicacion en celulas solares fotovoltaicas : сборник научных трудов / C. Guillen Arqueros, J. Herrero Rueda, E. Galiano Esteban, 1990. - 38 мкфш. - Текст : непосредственный.Гудовских А.С. Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения / А. С. Гудовских, 2014. - 34 с. - Текст : непосредственный.Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный.Емельянов В.М. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных А3В5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения / В. М. Емельянов, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный.Вишникин Е.В. Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем / Е. В. Вишникин, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:I.Solomon et al. Vol. 1, 1988. - XLVI,1019 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:I.Solomon et al. Vol. 2, 1988. - XXXVI,703(1023-1725) p. p. - Текст : непосредственный.Коновалов А.В. Разработка методов получения фоточувствительных полупроводниковых слоев на основе соединений A2B6 для тандемных солнечных элементов / А. В. Коновалов, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыKolodinski S. Analyse der Trager-Generation und -Rekombination in Siliziumsolarzellen Hoher Quantenausbeute : Diss. / S.Kolodinski, 1993. - 106 S. - Текст : непосредственный.Meech P. Photoelektrochemische Untersuchungen an P-Silizium- Halbleitern in flussigem Ammoniak : Diss. / P.Meech, 1990. - 151 S. - Текст : непосредственный.Dendritic web silicon photovoltaic cell research : Mfiche(2) / R.G.Seidensticker,J.P.McHugh,R.H.Hopkins и др., 1989. - 104 мкфш. - Текст : непосредственный.Bernhard N. Halbleiter-Heterostrukturen auf der Basis von amorphem Silizium : Deposition,physikalische Charakterisierung und Anwendungspotential in Dunnfilm-SolarzellenDiss. / N.Bernhard, 1994. - VIII,179 S. S. - Текст : непосредственный.
Родоманов Р.Р. Влияние поверхностных состояний на собирание фотогенерированных носителей заряда в структурах с двусторонней чувствительностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. Р. Родоманов, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гудовских А.С. Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения / А. С. Гудовских, 2014. - 34 с. - Текст : непосредственный.Щербаков Ю.В. Исследование процессов радиационной деградации и низкотемпературного отжига в фотопреобразователях на сонове кремния n-типа,легированных литием : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук / Ю. В. Щербаков, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Вишникин Е.В. Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем / Е. В. Вишникин, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коновалов А.В. Разработка методов получения фоточувствительных полупроводниковых слоев на основе соединений A2B6 для тандемных солнечных элементов / А. В. Коновалов, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Хвостикова О.А. Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs) / О. А. Хвостикова, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дроздов Ф.В. Синтез и свойства новых тиофенсодержащих чередующихся сополимеров для органической фотовольтаики / Ф. В. Дроздов, 2017. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Гришанов Е.В. Система генерирования электрической энергии на базе солнечных батарей и полупроводникового преобразователя : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.09.03 / Е. В. Гришанов, 2018. - 20 с. - Текст : непосредственный.Баранов А.И. Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. И. Баранов, 2019. - 17 с. - Текст : непосредственный.Кашкул И.Н. Технология и свойства пленок оксида цинка для тонкопленочных солнечных модулей : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Н. Кашкул, 2017. - 17 с. - Текст : непосредственный.Goossens A. electrochemical study of silicon/Boron phosphide heterojunction photoelectrodes : Diss. / A.Goossens, 1991. - 195 p. - Текст : непосредственный. Дронов А.А. Исследование и разработка технологий создания фотоэлектродов на основе наноструктурированного оксида титана : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Дронов, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Braunger D. Oberflachen und innere Grenzflachen in hocheffizienten Cu(In,Ga)Se2-Solarzellen - Untersuchungen mit Hilfe der Photoelektronenspektroskopie : Diss. / D.Braunger, 1999. - VI,150 S. S. - Текст : непосредственный.Паносян Ж.Р. Физические процессы на границе раздела полупроводник-электролит при преобразовании солнечной энергии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Ж. Р. Паносян, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Шварц М.З. Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. З. Шварц, 2003. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽