Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Григоров И.В. Применение теории нелинейных волновых процессов в радиотехнике и телекоммуникациях / И. В. Григоров, С. М. Широков, 2006. - 350 с. - Текст : непосредственный.Голубенцев А.Ф. Введение в статистическую электронику / А. Ф. Голубенцев, Ю. И. Денисов, Л. М. Минкин, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Белов П.В. Статистическая радиотехника / П. В. Белов, А. В. Назаркин, Э. М. Черниговская, 2006. - 88 с. - Текст : непосредственный.Schubert M. Infrared ellipsometry on semiconductor layer structures / M. Schubert, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный.Казаков В.А. Введение в теорию марковских процессов и некоторые радиотехнические задачи, 1973. - 231 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем в MATLAB 6.0 / С. Г. Герман-Галкин, 2001. - 320 с. - Текст : непосредственный.COMPEL : International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering. - Журнал выходит с 1982г. r=on-line. - Текст : электронный.Кальней С.Г. Обыкновенные дифференциальные уравнения, их применение в электронике / С. Г. Кальней, Б. И. Фридлендер, 1997. - 306 с. - Текст : непосредственный.Ластовкин А.А. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами. А. Ластовкин : специальность 01.04.03 "Радиофизика", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ластовкин, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Худяков Г.И. Статистическая теория радиотехнических систем : учебное пособие / Г. И. Худяков, 2009. - 397 с. - Текст : непосредственный.Токарев А.Б. Статистическая радиотехника : выставочные материалы / А. Б. Токарев, 2015. - 210 с. - Текст : непосредственный.Федоров В.А. Анализ и исследование полупроводниковых материалов : учебное пособие / В. А. Федоров, Н. Т. Кузнецов, 2008. - 84 с. - Текст : непосредственный.Molenaar J. Non-linear multigrid in 2-D semiconductor device simulation:the zero current case / J. Molenaar, 1989. - 15 p. - Текст : непосредственный.Molenaar J. multigrid approach for the solution of the 2D semiconductor equations / J. Molenaar, P. W. Hamker, 1990. - 18 p. - Текст : непосредственный.Инженерные исследования радиоэлектронных систем : учебное пособие / В. В. Смирнов, В. А. Иванов, М. В. Вишенцев, Н. В. Сотникова, 2008. - 83 с. - Текст : непосредственный.Радчук Н.Б. Стандартизация, сертификация. метрология и технические измерения параметров полупроводниковых материалов : выставочные материалы / Н. Б. Радчук, А. Ю. Ушаков, 2013. - 103 с. - Текст : непосредственный.Cole E. Mathematical and numerical modelling of heterostructure semiconductor devices: from theory to programming / E. Cole, 2009 r=on-line. - Текст : электронный.Сергеев В.А. Нелинейные тепловые модели полупроводниковых приборов / В. А. Сергеев, А. М. Ходаков, 2012. - 159 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНовоселов А.Ю. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольтамперными характеристиками N-типа и приборов на их основе : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. Ю. Новоселов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный.Диалло Тьерно Ибрагим.Моделирование физических и физико-химических процессов,происходящих при изготовлении и деградации изделий из поликристаллического карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Диалло Тьерно Ибрагим, 1993. - 13 с. - Текст : непосредственный.Molenaar J. Non-linear multigrid in 2-D semiconductor device simulation:the zero current case / J. Molenaar, 1989. - 15 p. - Текст : непосредственный.Molenaar J. multigrid approach for the solution of the 2D semiconductor equations / J. Molenaar, P. W. Hamker, 1990. - 18 p. - Текст : непосредственный.Grahn K.J. Two-dimensional numerical modeling of advanced semiconductor devices from the physical point of view / K. J. Grahn, 1993. - 78 p. - Текст : непосредственный.Nooyen R.R.P.van Petrov-Galerkin mixed finite element method with exponential fitting / R. R.P.van Nooyen, 1992. - 21 p. - Текст : непосредственный.
Шувалов Д.С. Математическое моделирование асимметричных реверсивно-включаемых динисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.18 / Д. С. Шувалов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Lai C.-H. Some experiences of solving 1-D semiconductor device equations on a Matrix coprocessor by a domain decomposition method / C.-H.Lai,H.J.J.te Riele, 1993. - 17 p. - Текст : непосредственный.Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный.Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / С. Г. Новиков, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Molenaar J. Multigrid for semiconductor device simulation: cell-centered of vertex-centered multigrid? / J.Molenaar, 1991. - 19 p. - Текст : непосредственный.Thoma R. Entwicklung eines hydrodynamischen Gleichungssystems zur Beschreibung von Halbleiterbauelementen : Diss. / R.Thoma, 1991. - 77 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽