Приложение
для AndroidПолное описание
Никифоров, В. В. Электроосаждение и ионизация металлов на полупроводниках / В.В. Никифоров. - Саратов : Изд-во СООО АН ВЭ, 2004 (г. Балаково (Саратовская обл.)). - 73 с. - Библиогр.: с. 59-71. - 100 экз. - ISBN 5-901608-08-9. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9 |
Рубрики:
Контакт металл-полупроводник
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-04/9301)
Шифр в сводном ЭК: 992abaa6f10a8a965873aa960fb5aaa5
Никифоров В.В. Задачи объемного геометрического моделирования деталей и сборочных единиц в САПР "PolyCAD" для ИППС механообработки : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / В. В. Никифоров, 1994. - 43 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Социально-экономическая модель рыночного хозяйства и перспективы ее формирования в России : специальность 08.00.01 "Экономическая теория" : диссертация на соискание ученой степени канд. экон. наук / В. В. Никифоров, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Задачи синтеза растровых представлений сетевых структур / В.В.Никифоров, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разработка программных средств для встроенных систем : Учеб. пособие / В.В.Никифоров, 2000. - 103 с. - Текст : непосредственный.Хрусталев Л.Н. Стабилизация вечномерзлых грунтов в основании зданий / Л.Н.Хрусталев,В.В.Никифоров;Отв.ред.К.Ф.Войтковский, 1990. - 209 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Методы и средства имитационного моделирования алгоритмов управления автоматизированными экспериментами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.16 / В. В. Никифоров, 1991. - 38 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Инженерно-геологические исследования негативных последствий техногенных процессов / В. В. Никифоров. - Текст : непосредственный // Горный информационно-аналитический бюллетень. - М. - 2013. - № 4. - с. 390-396Конструирование программ в системах обработки данных : Учеб. пособие / В.А.Блохин,В.А.Егоров,С.С.Смирнов,В.В.Никифоров, 1992. - 62 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Электроосаждение и ионизация металлов на полупроводниках / В.В. Никифоров, 2004. - 73 с. - Текст : непосредственный.
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSchafer B.-J. Einfluss dunner Zwischenschichten auf die Bandkantendiskontinuitat am Ge/GaAs(110)-Halbleiterkontakt / B.-J. Schafer, 1990. - 98 S. - Текст : непосредственный. Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.Бочкарева Л.В. Переходы Шотки / Л. В. Бочкарева, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.
Божков В.Г. Контакты металл-полупроводник: физика и модели / В. Г. Божков, 2016. - 526 с. - Текст : непосредственный.Loopstra O.B. AMORPHOUS Mo/Si MULTILAYERS : interdiffusion and structural relaxation; crystallization: Diss. / O.B.Loopstra, 1992. - 113 p. - Текст : непосредственный.Bather K.H. Physiko-chemische Prozesse in Kontakt- und Leitbahnsystemen : Speziell in Silizid/(Barriere)/Al-Systemen: Diss. / K.H.Bather, 1989. - 356 S. - Текст : непосредственный.Susla B. Zastosowanie spektroskopii tunelowej do badania przejsc elektronowych i emisji swiatla w zlaczach metal-izolator-metal / B.Susla, 1993. - 54 s. - Текст : непосредственный.Weidner J.-O. Charakterisierung der Zuverlassigkeit von sub-мm AlSiCu/TiN/Ti/n-Si- Kontakten bei hochbeschleunigten Lebensdauertests : Diss. / J.-O.Weidner, 1999. - 102 S. - Текст : непосредственный.Dupre T. A supersymmetric non-linear o-model for the metal-insulator transition : Diss. / T.Dupre, 1995. - 98 p. - Текст : непосредственный.Физика и применение контакта металл - полупроводник : Сб. науч. тр. / Кубан. гос. ун-т, 1989. - 80 c. - Текст : непосредственный.Guttler H.H. Elektrische Eigenschaften inhomogener Metall-Halbleiter-Grenzflachen : Diss. / H.H.G@:uttler, 1991. - 185 S. - Текст : непосредственный.Sypli A. Zur Untersuchung von Einzelelektroneneffekten in ultrakleinen Al-Al2O3-Al-Tunnelkontakten : Diss. / A.Sypli, 1998. - 106 S. - Текст : непосредственный.Шевяков В.И. Омические и выпрямляющие контакты в ИС : Учеб.пособие / В.И.Шевяков, 1999. - 55 с. - Текст : непосредственный.Schmitz S. Tunnelexperimente zu Anomalien der elektronischen Zustandichte von ungeordneten Metallen : Diss. / S.Schmitz, 1989. - 91 S. - Текст : непосредственный.Rhoderick E.H. Metal-semiconductor contacts / E.H.Rhoderick,R.H.Williams, 1988. - XIII, 252 p. 252 p. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Электроосаждение и ионизация металлов на полупроводниках / В.В. Никифоров, 2004. - 73 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Schubert M. Infrared ellipsometry on semiconductor layer structures / M. Schubert, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Schuller C. Inelastic light scattering of semiconductor nanostructures / C. Schuller, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Пономарев Д.С. Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs / Д. С. Пономарев, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Fabrication,properties and applications of low-dimensional semiconductors : материалы временных коллективов / Ed: M. Balkanski, I. Yanchev, 1995. - XIII,457 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽