• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Дмитриев, А. И. Функциональные гетероструктуры InGaAs/GaAs/δ-‹Mn› как основа спиновых светодиодов нового поколения / А. И. Дмитриев. - Текст : непосредственный // Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества : сб. тр. 1-й Всерос. шк.-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по темат. направлению деятельности нац. нанотехнол. сети. - М., 2011. - С. 79-83. - Библиогр.: 11 назв.
    ГРНТИ 47.09.43

    Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- арсенид индия -- магний -- квантовая яма
    Аннотация: С помощью сверхпроводящего квантового интерференционного магнетометра исследованы температурные зависимости намагниченности полупроводниковых гетероструктур, содержащих квантовую яму InGaAs/GaAs и δ-‹Mn› слой.
    Экз-ры полностью 03ff73c3ef012464abc046daee7872ea
    Нет сведений об экземплярах
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -857867-665876)

    Шифр в сводном ЭК: 312de79477dec491535b389d628ad9b5




    Заказ фрагмента документа ₽