Полное описание
Воронцов, В. А.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592.002(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР02-6978)
Шифр в сводном ЭК: e98fead520d01f146be77fab0772597a
Воронцов В.А. Совершенствование внутрифирменного управления производством в условиях рынка : специальность 08.00.05 "Экономика и управление народным хозяйством (по отраслям и сферам деятельности в т.ч.:теория управления экономическими системами; макроэкономика; экономика, организация и управление предприятиями, отраслями, комплексами; управление инновациями; региональная экономика; логистика; экономика труда; экономика народонаселения и демография; экономика природопользования; землеустройство и др." : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. экон. наук / В. А. Воронцов, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный. Ивина Л.В. Терминология венчурного финансирования : Учеб. пособие для вузов / Л.В.Ивина,В.А.Воронцов, 2002. - 255 с. - Текст : непосредственный. Воронцов В.А. Электронно-лучевая диагностика пучков ускоренных заряженных частиц : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.20 / В. А. Воронцов, 2000. - 14 с. - Текст : непосредственный. Воронцов В.А. Подлинные истоки математики и её роль в антропосоциокультурогенезе / В. А. Воронцов, 2015. - 250 с. - Текст : непосредственный. Воронцов В.А. Управление инновационной деятельностью в техническом университете на основе проектного подхода : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / В. А. Воронцов, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Баринов А.Д. Физика и технология неупорядоченных полупроводников : практикум для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и наноэлектроника" / А. Д. Баринов, В. А. Воронцов, Д. А. Зезин, 2018. - 92 с. - Текст : непосредственный. Воронцов В.А. Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :01.04.10 / В. А. Воронцов, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный. САПР в электрофизике : учеб. пособие : в 2 ч. / Нац. исслед. ядер. ун-т "МИФИ". Ч. 1 : Основы автоматизации проектирования / Г. П. Аверьянов [и др.], 2011. - 162 с. - Текст : непосредственный. Воронцов В.А. Основные понятия и термины венчурного финансирования / В.А.Воронцов,Л.В.Ивина, 2002. - 335 с. - Текст : непосредственный. Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Джаманбалин К.К. Радиационная модификация поверхности полупроводниковых материалов : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. К. Джаманбалин, 2002. - 51 с. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Шагаров Б.А. Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. А. Шагаров, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный. Кобахидзе К.В. Алкоксидный метод получения особо чистых металлической сурьмы и триоксида сурьмы : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / К. В. Кобахидзе, 1990. - 22 с. - Текст : непосредственный. Чу Чор.Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка,индия) в твердых растворах теллурида свинца-теллурида олова : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Чу Чор, 1992. - 14 с. - Текст : непосредственный. Жуков Э.Г. Физико-химические основы получения магнитных полупроводников - халькогенидных шпинелей типа A1-xBxCr2X4 (A, B - Fe, Co, Cu, Zn, Cd, Sn, Hg; X - S, Se) : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени д-ра хим. наук / Э. Г. Жуков, 2004. - 52 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
