Приложение
для AndroidПолное описание
Пивоваренок, С. А. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с медью и алюминием : автореф. дис. ... канд. хим. наук: 02.00.04 / С. А. Пивоваренок. - 2008. - 15 с : ил. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.77-047.84:621.794(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар09-1368)
Шифр в сводном ЭК: a10f5ed2a945f118a57674b51f8ee4f5
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГалперин В.А. Исследование и разработка процессов прецизионного травления материалов в технологии производства БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Галперин, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Горобчук А.Г. Численное моделирование плазмохимических реакторов травления : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / А. Г. Горобчук, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сергиенко А.А. Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Сергиенко, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Manenschijn A. Ion bombardment and ion-assisted etching in rf discharges : Diss. / A.Manenschijn, 1991. - 147 p. - Текст : непосредственный.Данилкин Е.В. Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. В. Данилкин, 2008. - 27 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.П. Композиции на основе десорбента "А" в технологии изготовления интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 02.00.01 / В. П. Смирнов, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гусев А.В. Реактивное ионно-плазменное травление пленок алюминия для производства микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Гусев, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Митрофанов Е.А. Применение масс-спектрометров для исследования процессов реактивного ионно-лучевого травления кремния и пленок диоксида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Е. А. Митрофанов, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Резванов А.А. Влияние процесса плазмохимического травления на молекулярную структуру и интегральные свойства диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. А. Резванов, 2019. - 24 с. - Текст : непосредственный.Абачев М.К. Исследование формирования глубоких щелей в кремнии при плазмохимическом и реактивном ионном травлении в галогеносодержащих газах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / М. К. Абачев, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Богданова М.А. Особенности формирования энергетического спектра ионов на поверхности электрода в реакторах плазмохимического травления : специальность 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. А. Богданова, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Пивоваренок С.А. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с медью и алюминием : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / С. А. Пивоваренок, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽