Полное описание
Соболев, Н. А.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592.002:669(04)
Рубрики: Кремний -- Легирование
Доп. точки доступа: Shek, E.I.
Shabalin, E.P.
Sobolev N.A.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/14715/1606)
Шифр в сводном ЭК: a98b5f625c38f2797484b658893faecf
Соболев Н.А. Проективные основания теории изображений / Н. А. Соболев, 1989. - 91 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Мамедли Э.М. Методы восстановления вычислительного процесса в отказоустойчивых цифровых системах управления реального времени : Препринт / Э. М. Мамедли, Р. Я. Самедов, Н. А. Соболев, 1998. - 74 с. - Текст : непосредственный. Шабалин Е.П. Chiral theory of scalar mesons / Е.П.Шабалин, 1994. - 11 p. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Предпринимательская деятельность в сфере коммерциализации инноваций : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / Н. А. Соболев, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Шабалин Е.П. On the role of quark-gluon operator in K 2 decay / Е.П.Шабалин, 1996. - 8 p. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Соболев, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный. Голиков В.В. Dose rates near water moderator of the IBR-2 reactor: experiment and analysis / В. В. Голиков, E. N. Kulagin, E. P. Shabalin, 2002. - 14 p. - Текст : непосредственный. URAM-2 cryogenic irradiation facility / E.P.Shabalin,V.V.Golikov,S.A.Kulikov и др., 2002. - 12 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Иогансен А.А. One-loop superfield effective action for the D=4 topological Yang-Mills theory / А. А. Иогансен, 1991. - 22 p. - Текст : непосредственный. Никулин В.К. Перезарядка и возбуждение при столкновениях между ионами Fe8+и атомами гелия / В. К. Никулин, Н. А. Гущина, 2007. - 27 с. - Текст : непосредственный. Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А. М. Минарский, П. Б. Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный. Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный. Чуйкин Е.И. Предварительные данные о выделении периодического жесткого (Е 100 МЭВ) гамма-излучения пульсара PSR 0833-45 в фазе излучения между главными пиками / Е. И. Чуйкин, 1996. - 12 с. - Текст : непосредственный. Горбачев Ю.Е. Hydrodynamic interaction in the kinetic theory of disperse systems / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 25 . - Текст : непосредственный. Горбачев Ю.Е. To the theory of the Knudsen layer with intensive heterogeneous chemical reactions and evaporation / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 26 p. - Текст : непосредственный. Горбачев Ю.Е. Квазиклассическое описание эволюции волчка в поле внешних сил / Ю. Е. Горбачев, М. П. Крутиков, 1993. - 53 с. - Текст : непосредственный. Горбачев Ю.Е. To the kinetic theory of developed turbulence / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 34 p. - Текст : непосредственный. Горбачев Ю.Е. The effective boundary conditions for a partially ionized gas over charged surfaces / Ю. Е. Горбачев, Д. А. Шапиро, 1993. - 33 p. - Текст : непосредственный. Коган В.Т. Ионно-оптическая схема малогабаритного магнитного масс-спектрометра с расширенным диапазоном измеряемых масс / В. Т. Коган, А. А. Степанов, 1993. - 11 с. - Текст : непосредственный. The experiments on fast current rampdown in TUMAN-3 tokamak / V. E. Golant, M. P. Gryaznevich, S. V. Krikunov, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный. Ирзак М.А. Расчет волноводных антенн в нижнегибридном диапазоне частот / М. А. Ирзак, О. Н. Щербинин, 1994. - 34 c. - Текст : непосредственный. Проверка космологической переменности фундаментальных физических констант на основе анализа спектров квазаров / Д. А. Варшалович, А. Ю. Потехин, А. В. Иванчик, 1997. - 12 с. - Текст : непосредственный. Impact of cosmic ray flux variations caused by changes in geomagnetic dipole moment on climate variability / O. M. Raspopov, O. I. Shymilov, E. A. Kasatkina, 1997. - 41 p. - Текст : непосредственный. Чуйкин Е.И. Выявление миллисекундных и субмиллисекундных пульсаций жесткого (100 МэВ) гамма-излучения пульсара Велы в фоновом диапазоне / Е. И. Чуйкин, 1997. - 12 с. - Текст : непосредственный. Вандакуров И.Ю. Применение вариационного метода для решения плоской анизотропной задачи теории упругости в произвольной многосвязной области / И. Ю. Вандакуров, Е. В. Галактионов, 1992. - 31 с. - Текст : непосредственный. Огурцов М.Г. Background characteristics of the underground neutrino detector / М. Г. Огурцов, 1992. - 38 p. - Текст : непосредственный. Иванчик А.В. The fine structure constant: a new observational limit on its cosmological variation and some theoretical consequences / А. В. Иванчик, A. Yu. Potekhin, D. A. Varshalovich, 1998. - 26 p. - Текст : непосредственный. Эндер А.Я. Структура больцмановского интеграла столкновений в осесимметричном случае. Ч.2. Дополнительные связи между матричными элементами для неориентированных частиц / А. Я. Эндер, И. А. Эндер, М. Б. Лютенко, 2000. - 71 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный. Установка для промышленного легирования кремния тепловыми нейтронами на пучке N3 реактора ИБР-2 / В.В.Голиков,В.Л.Камионский,Е.Н.Кулагин и др., 1994. - 20 c. - Текст : непосредственный. Особенности дефектообразования в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,Н.М.Казючиц,А.Р.Челядинский, 2000. - 11 с. - Текст : непосредственный. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии, имплантированном ионами бора с энергией 92 МэВ / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.М.Зайцев и др., 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.Г. Влияние легирования и интеркалирования на свойства халькогенидов висмута / А. Г. Абдуллаев, Э. И. Велиюлин, С. Ш. Кахраманов, 1991. - 54 с. - Текст : непосредственный. Электрическая активность имплантированных ионами инертных газов слоев кремния, обусловленная примесью кислорода / Н.М.Казючиц,В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык и др., 1996. - 10 с. - Текст : непосредственный. Захаров А.Г. СВЧ-фотопроводимость ионно-облученного алмаза / А. Г. Захаров, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, 1997. - 8 с. - Текст : непосредственный. Исследование явления термической десорбции Не из образцов дефектного кремния / М. Турек [и др.], 2015. - 8 с. - Текст : непосредственный. Филипп А.Р. Особенности распределения дефектов и примеси в приповерхностном слое алмаза, облученного ионами высоких энергий / А. Р. Филипп, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, 1997. - 7 с. - Текст : непосредственный. Степанова М.Г. Образование диссипативных структур в кремнии, имплантированном бором / М. Г. Степанова, А. Б. Потапов, Г. Г. Малинецкий, 1997. - 25 с. - Текст : непосредственный. Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И.А.Бобровникова,М.Д.Вилисова,Л.Г.Лаврентьева,М.П.Рузайкин, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Упорядочение гелиевых пор по направлению движения низкоэнергетичных ионов гелия в кремнии / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный. Начальные скорости изменения концентрации и подвижности в сильнолегированном кремнии, облученном низкоэнергетическими частицами / В.Л.Литвинов,А.Л.Очеретянский,В.М.Стучебников и др., 1989. - 21 c. - Текст : непосредственный. Скобочкин А.М. Структурная диагностика поверхностей с использованием вейвлетов / А.М.Скобочкин,В.Д.Левченко, 2002. - 15 с. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Neutron transmutation doping of silicon by magnesium / Н. А. Соболев, E. I. Shek, E. P. Shabalin, 1993. - 9 p. - Текст : непосредственный. Термодесорбция аргона, имплантированного в германий / М. Турек, К. Пышняк, А. Дроздзель, Ю. А. Ваганов, 2019. - 10, [1] с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
