Приложение
для AndroidПолное описание
Калинин, Б. В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. В. Калинин. - 2012. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17 (10 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3.029.6(043) |
Кл.слова (ненормированные): ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЧ-УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ -- ТРАНЗИСТОРЫ СВЧ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар12-14056)
Шифр в сводном ЭК: 1ae591f1f87870f0226dea1e12680b3a
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТкачев А.Ю. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов / А. Ю. Ткачев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Селезнев Б.И. Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Б. И. Селезнев, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.
Семейкин И.В. Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления мощности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / И.В. Семейкин, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуков П.О. Электродинамические эффекты в мощных СВЧ биполярных и МДП-транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / П. О. Гуков, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Хребтов И.В. Моделирование и оптимизация характеристик субмикронных одно- и двухканальных НЕМТ транзисторов и усилителей СВЧ на их основе : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / И. В. Хребтов, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лукашин В.М. Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / В. М. Лукашин, 2015. - 26 с. - Текст : непосредственный.Виноградова Н.С. Влияние состояния поверхности арсенида галлия на характеристики полевых транзисторов с барьером Шоттки СВЧ диапазона : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. С. Виноградова, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клецов А.А. Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01, 01.04.03 / А. А. Клецов, 2003. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рубаха Е.А. Физика отказов и обеспечение надежности мощных биополярных транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона в режимах эксплуатации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Е. А. Рубаха, 1992. - 72 с. - Текст : непосредственный.Курмачев В.А. Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Курмачев, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Пушкарев С.С. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных немт наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / С. С. Пушкарев, 2013. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калинин Б.В. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al, Ga)N/GaN : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. В. Калинин, 2012. - 17 с. - Текст : непосредственный.Асессоров В.В. Физико-технологические основы создания мощных биполярных кремниевых транзисторов различного назначения в диапазоне частот 100-1000 МГц : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / В. В. Асессоров, 1999. - 35 с. - Текст : непосредственный.Булгаков О.М. Электромагнитные взаимодействия во входных цепях мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и их энергетические и частотные характеристики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / О. М. Булгаков, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Климов Е.А. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных HEMT структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. А. Климов, 2012. - 18 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽