Полное описание
Кривошеин, И. В.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.3.049.771.14.002(043) 47.01.85
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР90-012021)
Шифр в сводном ЭК: 887c76f994cde3c731587a1771244c68
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Петров В.В. Методы расчета балок и пластинок из нелинейно-деформируемого материала : Учеб. пособие по курсам "Сопротивление материалов" и "Основы теории упругости и пластичности" для студентов специальностей 291100, 290300 / В. В. Петров, И. В. Кривошеин, 2007. - 147 с. - Текст : непосредственный. Кривошеин И.В. Итерационные методы расчета нелинейно деформируемых пологих оболочек и пластинок / И. В. Кривошеин, 2014. - 167 с. - Текст : непосредственный. Петров И.В. Основы строительной механики оболочек и пластинок : Учеб. пособие по курсу "Строит. механика" для спец. 290300 / И.В.Петров,И.В.Кривошеин, 2000. - 156 с. - Текст : непосредственный. Кривошеин И.В. Инкрементальные методы расчета гибких физически нелинейных пологих оболочек и пластинок / И. В. Кривошеин, 2015. - 253 с. - Текст : непосредственный. Петров В.В. Применение вариационных методов к расчету пластин : Учеб.пособие по курсу "Механика деформируемого твердого тела" для студентов спец.290300 / В.В.Петров,И.В.Кривошеин, 1999. - 80 с. - Текст : непосредственный. Петров В.В. Расчет балок и плит на упругом неоднородном основании : Учеб. пособие по курсу "Сопротивление материалов" для студентов специальностей 291000, 291100, 290800, 290300 / В.В. Петров, И.В. Кривошеин, 2005. - 79 с. - Текст : непосредственный. Кривошеин И.В. Алгоритмические и программные средства управления транспортной системой гибкого автоматизированного цеха изготовления больших интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07, 05.13.01 / И. В. Кривошеин, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Петров В.В. Методы расчета конструкций из нелинейно-деформируемого материала : Учеб. пособие / В. В. Петров, И. В. Кривошеин, 2009. - 206 с. - Текст : непосредственный. Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Арсеньев Г.Н. Радиоавтоматика. Практикум : выставочные материалы / Г. Н. Арсеньев, С. Н. Замуруев, 2014. - 280 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Погодин А.А. Синтез электронных схем в устройствах электрорадиоавтоматики / А. А. Погодин, Ю. Л. Филимонов, А. Д. Шишкин, 1994. - 139 c. - Текст : непосредственный. Арсеньев Г.Н. Радиоавтоматика. Практикум : выставочные материалы / Г. Н. Арсеньев, С. Н. Замуруев, 2013. - 260 с. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Акуленок М.В. Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. В. Акуленок, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Бокша В.В. Разработка основ технологии создания маскирующих слоев для БИС методом лазерной вакуумной проекционной литографии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Бокша, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Kahler J.D. Selektive Wolframauffullung fur CoSi2-Kontakte in grossintegrierten Schaltungen : Diss. / J.D.K@:ahler, 1999. - 124 S. - Текст : непосредственный. Козлитин А.И. Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. И. Козлитин, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный. Епимахов И.Д. Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Д. Епимахов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Редичев Е.Н. Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Н. Редичев, 2006. - 26 с. - Текст : непосредственный. Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / Е. В. Булыгина, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Путря М.Г. Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / М. Г. Путря, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный. Каратунов Ю.В. Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Ю. В. Каратунов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный. Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
