Приложение
для AndroidПолное описание
Турубаров, С. В. Лазерно-индуцируемое фотокаталитическое разделение изотопов углерода на поверхности нанополупроводниковых частиц / С. В. Турубаров. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - С. 134-138.
ГРНТИ 47.09.29
Кл.слова (ненормированные): оксид индия -- олово
Аннотация: Технология разделения изотопов углерода - лазерно индуцируемое фотокаталитическое разделение изотопов на поверхности наночастиц полупроводника. Наночастицы - из оксида индия легированного оловом.
Все экземпляры списаны
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -694475-079423)
Шифр в сводном ЭК: 4d5d8913fd46dbfbdcf8416ef54060ef
Турубаров С.В. Синтез многостенных нанотрубок нитрида бора методом лазерной абляции / С. В. Турубаров. - Текст : непосредственный // Физика и химия наноматериалов : сб. материалов 2-й Междунар. шк.-конф. молодых ученых, Томск, Россия, 12-16 окт. 2009 г. - Томск : ТМЛ-Пресс, 2009. - с. 441-444.Турубаров С.В. Лазерно-индуцируемое фотокаталитическое разделение изотопов углерода на поверхности нанополупроводниковых частиц / С. В. Турубаров. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 134-138.
Наноинженерия - 2010 : сб. тр. 3-й Всерос. школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Наноинженерия",13-15 окт. 2010 г., Калуга-Москва / Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Наноинженерия" (3 ; 2010 ; Калуга / Москва), 2010. - 439 с. - Текст : непосредственный.Турубаров С.В. Лазерно-индуцируемое фотокаталитическое разделение изотопов углерода на поверхности нанополупроводниковых частиц / С. В. Турубаров. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 134-138.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНаноинженерия - 2010 : сб. тр. 3-й Всерос. школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Наноинженерия",13-15 окт. 2010 г., Калуга-Москва / Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Наноинженерия" (3 ; 2010 ; Калуга / Москва), 2010. - 439 с. - Текст : непосредственный.Турубаров С.В. Лазерно-индуцируемое фотокаталитическое разделение изотопов углерода на поверхности нанополупроводниковых частиц / С. В. Турубаров. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 134-138.
Наноинженерия - 2010 : сб. тр. 3-й Всерос. школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Наноинженерия",13-15 окт. 2010 г., Калуга-Москва / Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению "Наноинженерия" (3 ; 2010 ; Калуга / Москва), 2010. - 439 с. - Текст : непосредственный.Биоинженерные свойства наноструктурированного пластического материала "Гиаматрикс" / Л. Р. Адельшина, И. Р. Гильмутдинова, О. И. Бурлуцкая [и др.]. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 4-8Формирование протяженных массивов наноструктур при лазерном воздействии на коллоидные системы / А. А. Антипов, С. М. Аракелян, С. В. Кутровская [и др.]. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 15-19Синтез нановолокон и нанокластеров при лазерном воздействии на материалы, помещенные в постоянное электрическое поле / А. А. Антипов, С. М. Аракелян, С. В. Кутровская [и др.]. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 20-24Наноструктурирование тонкопленочных покрытий при абляции в вакууме / М. Н. Герке, К. С. Хорьков, Д. С. Ногтев [и др.]. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 40-44Ерохина А.В. Диагностика качества углеродных нанотрубок методом термогравиметрии / А. В. Ерохина, Е. Ю. Филатова. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 52-55.Завьялов А.П. Исследование влияния условий получения на параметры нанопорошка диоксида кремния при производстве методом испарения электронным пучком / А. П. Завьялов. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 56-60Климин В.С. Разработка и исследование технологии изготовления ориентированных наноэмиттеров на основе массивов углеродных нанотрубок / В. С. Климин. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 61-65Луценко Н.Ю. Каталитические свойства полититаната калия, интеркалированного наночастицами никеля / Н. Ю. Луценко, Г. А. Гвоздев. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 71-73Матвеев А.С. Технологические аспекты получения нанокомпозиционных материалов на основе вольфрама / А. С. Матвеев, М. В. Инюхин, А. В. Тай. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 80-84Использование наночастиц сульфида меди для легирования цинк-сульфидных люминофоров / Е. В. Михайлова, В. В. Бахметьев, Я. В. Челодюк, М. М. Сычев. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 89-93.Михеев Р.С. Изготовление наноструктурированных градиентных слоев с повышенной износостойкостью / Р. С. Михеев, Н. В. Коберник. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 94-99Потехина Л.Н. Полимерные наноматериалы в переработке вторичного молочного сырья / Л. Н. Потехина. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 106-110Рогожина Т.В. Ферментативный метод получения кверцетина / Т. В. Рогожина, В. В. Рогожин. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 119-123Сагиров М.М. Электрофильтр для нано и микроочистки воздуха систем вентиляции и антибактериальной защиты / М. М. Сагиров. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 124-125Турубаров С.В. Лазерно-индуцируемое фотокаталитическое разделение изотопов углерода на поверхности нанополупроводниковых частиц / С. В. Турубаров. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 134-138.Алмазов Д.В. Исследование электрофизических процессов в наноструктурированных халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Д. В. Алмазов. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 143-147Булыгина Е.В. Перспективы применения упорядоченных наносистем на основе опаловых матриц / Е. В. Булыгина, Ю. В. Панфилов. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 155-168Коломийцев А.С. Исследование режимов субмикронного профилирования подложек кремния методом фокусированных ионных пучков для формирования элементов микро- и наносистемной техники / А. С. Коломийцев. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 186-189Королёв Д.С. Влияние атмосферы отжига на светоизлучающие свойства нанокристаллов кремния, ионно-синтезированных в оксидных матрицах / Д. С. Королёв, И. Ю. Жаворонков, А. Б. Костюк. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2010. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. - с. 190-194
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽