Приложение
для AndroidПолное описание
Распределение дефектов в кремнии, подвергнутом терморадиационной обработке / А.З.Ильясов,О.П.Канушина,Ш.М.Малахов и др. - Ташкент : [б. и.], 1990. - 12 с. - (Препринт / Институт электроники им.У.А.Арифова(Ташкент) ; 32). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 11 (5 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592.002(04) |
Рубрики:
Кремний -- Термическая обработка
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ -- ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА
Доп. точки доступа:
Ильясов, А.З.
Канушина, О.П.
Малахов, Ш.М.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/46063/32)
Шифр в сводном ЭК: 6e374ca74e4024188edc346a1b052aa2
Ильясов А.З. Исследование состава и структуры твердых тел с помощью позитронов и ионов гелия / А.З.Ильясов, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ильясов А.З. Влияние разрешающей способности установки на точность оценивания параметров кривых угловой корреляции аннигиляционных гамма-квантов / А.З.Ильясов,Э.М.Пивник,С.В.Шевелев, 1994. - 9 c. - Текст : непосредственный.Распределение дефектов в кремнии, подвергнутом терморадиационной обработке / А.З.Ильясов,О.П.Канушина,Ш.М.Малахов и др., 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.
Лифанова Л.Ф. Влияние динамического атомного перемешивания под действием низкоэнергетичной ионной бомбардировки аргоном на термостимулированное выделение аргона / Л. Ф. Лифанова, Э. Р. Чалбаш, Р. У. Эльмуратов, 1989. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Определение рода адатомов и их положения на поверхности монокристалла путем прострела тонких пленок ионами в условиях каналирования / А.А.Джурахалов,Э.С.Парилис,А.М.Расулов и др., 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ильясов А.З. Исследование состава и структуры твердых тел с помощью позитронов и ионов гелия / А.З.Ильясов, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Балтенков А.С. Угловое распределение аннигиляционных фотонов в различных геометриях эксперимента / А.С.Балтенков,Г.И.Журавлева, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Буряков И.А. Дрейф - спектрометр для контроля следовых количеств аминов в атмосфере воздуха : Препринт / И. А. Буряков, Е. В. Крылов, А. Л. Макась, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ильясов А.З. Влияние разрешающей способности установки на точность оценивания параметров кривых угловой корреляции аннигиляционных гамма-квантов / А.З.Ильясов,Э.М.Пивник,С.В.Шевелев, 1994. - 9 c. - Текст : непосредственный.Шевелев С.В. Восстановление анизотропных распределений из экспериментальных данных аннигиляции позитронов / С.В.Шевелев, 1994. - 16 c. - Текст : непосредственный.Абдукаримов Э.Т. Получение глубоких отверстий с помощью электроэрозионной обработки материалов / Э.Т.Абдукаримов, 1990. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кулагин И.А. Дисперсионные зависимости нелинейных восприимчивостей третьего порядка атомов щелочных металлов и щелочноземельных ионов / И.А.Кулагин,Т.Усманов, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Турсунов К.С. Исследование поверхностной ионизации молекул третичных аминов, содержащих -электроны / К. С. Турсунов, У. Х. Расулев, Э. Г. Назаров, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Распределение дефектов в кремнии, подвергнутом терморадиационной обработке / А.З.Ильясов,О.П.Канушина,Ш.М.Малахов и др., 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.Абдукаримов Э.Т. Влияние диэлектрической среды на чистоту поверхности токопроводящих материалов при электроэрозионной обработке / Э.Т.Абдукаримов,Р.М.Рустамов, 1990. - 9 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМикроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный.Роль поверхности в поведении радиационных дефектов в кремнии при отжиге / В.А.Буренков,В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.Р.Челядинский, 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный.Гольдштейн Р.В. Экструзия малопластичных термоэлектрических полупроводников в условиях высокого гидростатического давления / Р.В.Гольдштейн,Н.А.Сидоренко, 2000. - 32 с. - Текст : непосредственный.Использование аномального тлеющего разряда для спазмохимической обработки кремния / Г.С.Кириченко,К.Л.Кругляков,С.Н.Павлов,В.М.Слободян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Распределение дефектов в кремнии, подвергнутом терморадиационной обработке / А.З.Ильясов,О.П.Канушина,Ш.М.Малахов и др., 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽