Полное описание
Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В. 2. Неравновесное упорядочение и физические параметры слоев GaAlAs / Э.А.Ильичев,С.К.Максимов,К.С.Максимов и др. - М. : [б. и.], 1996. - 16 c. : ил. - (Препринт / Институт общей физики (Москва) ; 2(1996)). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.216.2(04)
Рубрики: Полупроводниковые пленки
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
Доп. точки доступа: Ильичев, Э.А.
Максимов, С.К.
Максимов, К.С.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/42285/2(1996)/2)
Шифр в сводном ЭК: a1a632414f3fa53c8b81cda9344a6b4d
Ильичев Э.А. Экспериментальные методы исследований : учебное пособие : в 3 ч. Ч. 1 : Постановка задач. Физические основы. Физическое моделирование, 2017. - 123 с. - Текст : непосредственный. Ильичев Э.А. Экспериментальные методы исследований : учебное пособие : [в 3 ч.]. Ч. 3 : Основы метрологии, 2018. - 63 с. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Определение природы призматических дислокационных петель по остаточному контрасту при gb＝0 и S＝0 : (препринт) / С. К. Максимов, Т. И. Лукьянчук, М. М. Мышляев, 1974. - 10 с. - Текст : непосредственный. Ильичев Э.А. Метрология в экспериментальной физике : Учеб. пособие / Э. А. Ильичев, 2007. - 212 с. - Текст : непосредственный. Максимов К.С. Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A B : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. С. Максимов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный. Ильичев Э.А. Функциональная микро- и наноэлектроника : учеб. пособие / Э. А. Ильичев, 2017. - 299 с. - Текст : непосредственный. Ильичев, Э. А. Экспериментальные методы исследований : учебное пособие : [в 3 ч.]. Ч. 2 : Методы измерений. Обработка результатов измерений, 2018. - 220 с. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 2. Неравновесное упорядочение и физические параметры слоев GaAlAs / Э.А.Ильичев,С.К.Максимов,К.С.Максимов и др., 1996. - 16 c. - Текст : непосредственный. Технологии плазмо-каталитического роста углеродных наноструктур : особенности и применение в автоэмиссионных схемах / Э. А. Ильичев, Д. М. Мигунов, Г. Н. Петрухин [и др.]. - Текст : непосредственный // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010 (МЭС - 2010) : сб. тр. IV Всерос. науч.-техн. конф., 4-8 окт. 2010 г., Москва. - М. - 2010. - с. 632-637 Исследование анизотропии нелинейного поглощения в кристаллах ИАГ: V / Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, 1995. - 14 c. - Текст : непосредственный. Исследование поляризационных характеристик двухфотонного поглощения в кристалле LIF:F на длине волны 1.06 МКМ / Т. Т. Басиев, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, 1995. - 26 c. - Текст : непосредственный. Минеев А. Автоматическое согласование газоразрядного лазера с генератором ВЧ-накачки / А. Минеев, П. А. Полушин, А. Г. Самойлов, 1993. - 19 c. - Текст : непосредственный. Акулина Д.К. Рупорно-линзовая ("ускорительная") антенна для диагностики плазмы / Д. К. Акулина, Г. А. Гладков, А. Н. Накладов, 1994. - 18 c. - Текст : непосредственный. Исследование конвективных потоков изотермической жидкости в методе Чохральского, вызванных низкочастотными вибрациями кристалла / Е. В. Шариков, А. З. Мяльдун, А. И. Простомолотов, Н. К. Толочко, 1993. - 37 c. - Текст : непосредственный. Зыбин Д.Н. К вопросу о механизме ионизации в приэлектродных слоях слаботочного ВЧЕР при поперечной накачке СО2-лазеров / Д. Н. Зыбин, 1994. - 41 c. - Текст : непосредственный. Когерентная мультипольная передача энергии электронного возбуждения в кластерах резонансно взаимодействующих частиц и ее использование для квантовой информатики / И. Т. Басиева, С. К. Секацкий, К. К. Пухов, А. А. Басиев, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный. Лукьянчиков Г.С. О нетепловой реактивной силе, возникающей при электрическом разряде в системе эмиттирующих электродов / Г. С. Лукьянчиков, 2003. - 9 с. - Текст : непосредственный. Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Scheller K. Entstehung eines Nichtgleichgewichtszustandes in einem gekoppelten System aus Elektron-Loch Plasma und akustischen Phononen nach optischer Anregung in einer Halbleiterschicht : Diss. / K.Scheller, 1992. - 85 S. - Текст : непосредственный. Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный. Курило И.В. Структура и физико-механические свойства кристаллов и пленок соединений АII ВVI / И. В. Курило, В. П. Алехин, 2011. - 570 с. - Текст : непосредственный. Металлооксидные пленки: синтез, свойства и применение : монография / С. И. Рембеза [и др.], 2018. - 171 с. - Текст : непосредственный. Ершов И.В. Введение в физику и технологию планарных наноструктур : учебное пособие / И. В. Ершов, В. В. Илясов, 2018. - 99 с. - Текст : непосредственный. Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный. Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный. Атакулов Ш.Б. Термические и радиационно-стимулированные процессы в поликристаллических пленках халькогенидов свинца / Ш.Б.Атакулов,И.М.Конанбаев, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный. Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный. Палатник Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, 1973. - 295 с. - Текст : непосредственный. Carmona M.I.A. Herstellung und Ramanspektroskopische Untersuchungen epitaktischer Schichten von Ge, Si Ge-Mischkristallen und Si/Ge Ubergittern : Diss. / M.I.A.Carmona, 1989. - 197 S. - Текст : непосредственный. Nebel C.E. Ladungstragertransprt und Rekombination in a-SiGe:H : Diss. / C.E.Nebel, 1990. - 174 S. - Текст : непосредственный. Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер, 2007. - 283 с. - Текст : непосредственный. Милехин А.Г. О повышении точности определения плазменной частоты по ИК-спектрам отражения эпитаксиальных пленок / А. Г. Милехин, О. А. Макаров, М. П. Синюков, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Жерихин А.Н. Нелинейная спектроскопия узкозонных полупроводниковых пленок Pr-Ba-Cu-O методом бигармонической накачки / А. Н. Жерихин, В. А. Лобастов, В. М. Петникова, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Неактивационный характер проводимости в неупорядоченных средах / О.А.Гудаев,В.К.Малиновский,Э.Э.Пауль,В.А.Трещихин, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный. Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный. Энерговыделение в тонких слоях арсенида галлия под действием высокоэнергетических частиц / В.С.Барашенков,А.Полянски,А.Н.Соснин,С.Ю.Шмаков, 1991. - 3 с. - Текст : непосредственный. Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный. Маркова Н.В. Dispersion of collective excitations in narrow-gap semiconductor quantized film / Н.В.Маркова, 1994. - 19 p. - Текст : непосредственный. Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный. Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный. Гусейнов Р.Р. Самодействие носителей заряда в полупроводниковой пленке / Р.Р.Гусейнов, 1991. - 8 с. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 2. Неравновесное упорядочение и физические параметры слоев GaAlAs / Э.А.Ильичев,С.К.Максимов,К.С.Максимов и др., 1996. - 16 c. - Текст : непосредственный. Калинин В.С. Фрактальная модель фотопроводимости поликристаллических пленок / В. С. Калинин, В. В. Мезенцев, Г. И. Смирнов, 1990. - 20 c. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
