Полное описание
> Владимирская, Е. В. Физика твердого тела. Равновесная статистика носителей заряда в полупроводниках : учеб. пособие / Е. В. Владимирская, В. Э. Гасумянц, В. Г. Сидоров. - СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2010 (СПб.). - 100 с. : ил. - Библиогр.: с. 83. - 100 экз. - ISBN 978-5-7422-2552-2. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: С.-Петерб. гос. политехн. ун-т
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322 |
Рубрики:
Полупроводники
Доп. точки доступа:
Гасумянц, В. Э.
Сидоров, В. Г.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-10/71136)>
Шифр в сводном ЭК: 52fa9222992376e1e0a68bf46d9856a8
Сидоров В.Г. Вторичная обработка информации в двухпозиционной радиолокационной системе в декартовой системе координат : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения " : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. Г. Сидоров, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лыков С.Н. Квантовая механика. Задачи с решениями : учебное пособие / С. Н. Лыков, В. Э. Гасумянц, С. А. Рыков, 2008. - 314 с. - Текст : непосредственный.Барыбин А.А. Физико-технологические основы электроники / А. А. Барыбин, В. Г. Сидоров, 2001. - 268 с. - Текст : непосредственный.PR как феномен управленческой коммуникации : выставочные материалы / В. А. Зимин, Е. Н. Хохрина, В. Г. Сидоров [и др.] ; Ред. В. Д. Бандалетов, 2010. - 629 с. - Текст : непосредственный.
Размерное квантование : учеб. пособие / под ред. С. Н. Лыкова. Ч. 1 : Энергетический спектр наноструктур / В. Э. Гасумянц [и др.], 2008. - 257 с. - Текст : непосредственный.Владимирская Е.В. Физика твердого тела. Равновесная статистика носителей заряда в полупроводниках : Учеб. пособие / Е. В. Владимирская, В. Э. Гасумянц, В. Г. Сидоров, 2000. - 63 с. - Текст : непосредственный.Русско-английский словарь и фразеология новых разделов физики полупроводников / Е.В.Владимирская,В.Э.Гасумянц,В.И.Ильин,Т.Л.Макарова;Под общ.ред.В.И.Ильина,А.Я.Шика, 2000. - 108 с. - Текст : непосредственный.Гасумянц В.Э. Электронные явления переноса и зонный спектр в легированных высокотемпературных сверхпроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Э. Гасумянц, 1999. - 48 с. - Текст : непосредственный.Анализ рейтингов российских банков / Е.Л.Головко,В.Г.Сидоров,А.А.Пересецкий и др., 2002. - 39 с. - Текст : непосредственный.Гасумянц В.Э. Электроны и фононы в квантоворазмерных системах : учеб. пособие / В. Э. Гасумянц, Д. А. Фирсов, 2008. - 96 с. - Текст : непосредственный.Широкозонные полупроводники : Учеб. пособие для студентов вузов по направлению "Техн. физика" / Ю.Г.Шретер,Ю.Т.Ребане,В.А.Зыков,В.Г.Сидоров;Под общ. ред. В.И. Ильина, А.Я. Шика, 2001. - 124 с. - Текст : непосредственный.Гасумянц В.Э. Электронные явления переноса в оксидных высокотемпературных сверхпроводниках в нормальной фазе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Э. Гасумянц, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.Сидоров В.Г. Исследование перемешивания в циркуляционном трубопроводе и опускном канале корпусного реактора при аварии с малой потерей теплоносителя : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.14.03 / В. Г. Сидоров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Размерное квантование : учеб. пособие / под ред. С. Н. Лыкова. Ч. 2 : Оптические и кинетические свойства полупроводниковых наноструктур / В. Э. Гасумянц [и др.], 2010. - 242 с. - Текст : непосредственный.Елизарова М.В. Физика твердого тела. Физическая кристаллография : Учеб. пособие / М. В. Елизарова, В. Э. Гасумянц, В. Г. Сидоров, 2004. - 100 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПотапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Братов В.А. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Физика полупроводников / В. А. Братов, 1995. - 94 с. - Текст : непосредственный.Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Шалимова К.В. Физика полупроводников : учебное пособие / К. В. Шалимова, 2010. - 391 с. - Текст : непосредственный.Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный.Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов, 1973. - 223 с. - Текст : непосредственный.Structure and bonding / ed. D. M. P. Mingos. 118 : Semiconductor nanocrystals and silicate nanoparticles / ed. X. Peng [et al.]; with contributions by A. J. Bard, Z. Ding, P. Guyot-Sionnest, F. Liebau, N. Myung [et al.], 2005. - X, 189 p. - Текст : непосредственный.Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 1 : Зонная теория полупроводников, 1992. - 48 с. - Текст : непосредственный.Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 2 : Физика полупроводников, 1992. - 113 с. - Текст : непосредственный.Rockett A. materials science of semiconductors / A. Rockett, 2008. - 622 p. - Текст : непосредственный. Неупорядоченные полупроводники / А. А. Айвазов, Б. Г. Будягин, С. П. Вихров, А. И. Попов, 1995. - 352 с. - Текст : непосредственный.Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный.Парменов Ю.А. Физика полупроводников / Ю. А. Парменов, 2002. - 131 с. - Текст : непосредственный.Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники.Теория процессов полупроводниковой технологии : выставочные материалы / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, 1995. - 492 с. - Текст : непосредственный.Леонов В.В. Композиционные материалы на основе полупроводников : учебное пособие / В. В. Леонов, 2002. - 143 с. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Подвижность электронов и дырок в кристаллах твердых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава / Г. Х. Аждаров, Н. А. Агеев, Э. С. Гусейнова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Эффекты возбуждения и релаксации в полупроводниках и диэлектриках : сборник научных трудов / Московский инженерно-физ. ин-т, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Гребенник А.В. Оптико-тензиметрическое исследование нестехиометрии CdTe, ZnSe и ZnTe : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. В. Гребенник, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽