Приложение
для AndroidПолное описание
Эффект полной эксклюзии носителей тока в "чистых" полупроводниках с неинжектирующими контактами / Д.А.Аронов,Б.Р.Мамуткулов,Б.Х.Валиев и др. - Ташкент : [б. и.], 1990. - 28 с. : ил. - (Препринт ; 122-90-ФПП). - 120 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 15-19 (27 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592(04) |
Рубрики:
Полупроводники
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа:
Аронов, Д.А.
Мамуткулов, Б.Р.
Валиев, Б.Х.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/39173/122-90-ФПП)
Шифр в сводном ЭК: ecf0408f05988fcc31fc0bfd16d80d8f
Аронов Д.А. Исследование вопросов электромагнитной совместимости систем связи, радионавигационных спутниковых систем и систем других служб : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.12.13, 05.12.14 / Д. А. Аронов, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Эффект полной эксклюзии носителей тока в "чистых" полупроводниках с неинжектирующими контактами / Д.А.Аронов,Б.Р.Мамуткулов,Б.Х.Валиев и др., 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.
Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный.Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный.Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный.Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный.Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПотапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Братов В.А. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Физика полупроводников / В. А. Братов, 1995. - 94 с. - Текст : непосредственный.Gobel A. Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors / A. Gobel, 1998. - XVII,235 p. p. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Шалимова К.В. Физика полупроводников : учебное пособие / К. В. Шалимова, 2010. - 391 с. - Текст : непосредственный.Гантимуров А.Г. Электродинамические характеристики проводящих и полупроводящих сред / А. Г. Гантимуров, Ю. Б. Башкуев, 2006. - 96 с. - Текст : непосредственный.Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов, 1973. - 223 с. - Текст : непосредственный.Structure and bonding / ed. D. M. P. Mingos. 118 : Semiconductor nanocrystals and silicate nanoparticles / ed. X. Peng [et al.]; with contributions by A. J. Bard, Z. Ding, P. Guyot-Sionnest, F. Liebau, N. Myung [et al.], 2005. - X, 189 p. - Текст : непосредственный.Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 1 : Зонная теория полупроводников, 1992. - 48 с. - Текст : непосредственный.Магомедов Х.А. Физика полупроводников : Учеб.пособие. Ч. 2 : Физика полупроводников, 1992. - 113 с. - Текст : непосредственный.Rockett A. materials science of semiconductors / A. Rockett, 2008. - 622 p. - Текст : непосредственный. Неупорядоченные полупроводники / А. А. Айвазов, Б. Г. Будягин, С. П. Вихров, А. И. Попов, 1995. - 352 с. - Текст : непосредственный.Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский, 2003. - 480 с. - Текст : непосредственный.Парменов Ю.А. Физика полупроводников / Ю. А. Парменов, 2002. - 131 с. - Текст : непосредственный.Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники.Теория процессов полупроводниковой технологии : выставочные материалы / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, 1995. - 492 с. - Текст : непосредственный.Леонов В.В. Композиционные материалы на основе полупроводников : учебное пособие / В. В. Леонов, 2002. - 143 с. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Подвижность электронов и дырок в кристаллах твердых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава / Г. Х. Аждаров, Н. А. Агеев, Э. С. Гусейнова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Эффекты возбуждения и релаксации в полупроводниках и диэлектриках : сборник научных трудов / Московский инженерно-физ. ин-т, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Температурные зависимости кинетических характеристик арсенида галлия и нелинейные модели электротепловых полей в неоднородных полупроводниках / Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов,Г.И.Снарская и др., 1989. - 27 с. - Текст : непосредственный.Особенности электронных и фононных процессов в эвтектиках на основе полупроводников A В / М.И.Алиев,Д.Г.Араслы,З.А.Джафаров и др., 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хлупин С.И. Микродозиметрическое описание энерговыделения в субмикронных областях кремния, облучаемых тяжелыми ионами / С.И.Хлупин,А.Ф.Аккерман, 1990. - 14 с. - Текст : непосредственный.Эффект полной эксклюзии носителей тока в "чистых" полупроводниках с неинжектирующими контактами / Д.А.Аронов,Б.Р.Мамуткулов,Б.Х.Валиев и др., 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽