Полное описание
> Сорокин, И. Н. Химическое травление полупроводниковых соединений : учеб. пособие по курсу "Физ.-хим. основы технологии микроэлектроники" / И.Н.Сорокин,Н.Г.Назаров. - М. : [б. и.], 1992. - 96 с. : ил. - 300 экз. - Текст : непосредственный. В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с.81-82 (10 назв.)
ГРНТИ УДК 47.13.33 621.315.592.002:621.794
Рубрики: Полупроводники -- Травление
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ТРАВЛЕНИЕ
Доп. точки доступа: Назаров, Н.Г.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-92/7484)>
Шифр в сводном ЭК: 14e953594ec56371efc1b4919be7251f
Сорокин И.Н. Диэлектрические пленки в полупроводниковой электронике / И. Н. Сорокин, М. В. Акуленок, 1995. - 116 c. - Текст : непосредственный. Сорокин И.Н. Технология электронных компонентов / И. Н. Сорокин, М. В. Акуленок, 1999. - 196 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Расчетные и экспериментальные оценки поля рентгеновского излучения, создаваемого высоковольтными элементами установки "ускоритель-тандем БНЗТ" / А. Г. Башкирцев [и др.], 2012. - 18 с. - Текст : непосредственный. Регистрация темного тока большой интенсивности в ускорителе-тандеме с вакуумной изоляцией после увеличения апертуры ускорительного канала / В. И. Алейник [и др.], 2012. - 14 с. - Текст : непосредственный. Назаров Н.Г. Измерения: планирование и обработка результатов / Н.Г.Назаров, 2000. - 302 с. - Текст : непосредственный. Назаров Н.Г. Современные методы и алгоритмы обработки измерений и контроля качества продукции : Учеб. пособие для высш. учеб. заведений по напр. "Метрология, стандартизация и сертификация", спец. "Метрология и метролог. обеспечение" / Н.Г.Назаров,Е.А.Архангельская, 1995. - Текст : непосредственный. Назаров Н.Г. Метрология. Основные понятия и математические модели : Учеб.пособие / Н.Г.Назаров, 2002. - 348 с. - Текст : непосредственный. Сорокин И.Н. Физико-химические основы прочности неразъемных соединений микроэлектронных устройств : Учеб. пособие по курсу "Физ.-хим. основы технологии микроэлектроники" / И.Н.Сорокин,Г.А.Яковлев, 1994. - 199 c. - Текст : непосредственный. Назаров Н.Г. Методы экспериментальной оценки качества партии изделий с учетом степени риска : учеб. пособие / Н. Г. Назаров, 2015. - 95 с. - Текст : непосредственный. Назаров Н.Г. Математические модели средних рисков производителя при контроле партии однородной продукции / Н. Г. Назаров, А. Н. Назаров, 2007. - 82 с. - Текст : непосредственный. Крючков А.М. Работы по исследованию и созданию ускорительных трубок высоковольтных ускорителей заряженных частиц / А. М. Крючков, И. Н. Сорокин, В. В. Широков, 1994. - 39 c. - Текст : непосредственный. Физико-химические процессы микроэлектронной технологии : Сб. науч. тр. / Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т), 1993. - 203 c. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный. Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный. Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный. Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный. Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный. Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Клебанова И.В. Синтез самонастраивающихся систем управления технологическими процессами сухого травления кремния : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. В. Клебанова, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Аракчеева Е.М. Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений А В, полученные методом реактивного ионного травления : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. М. Аракчеева, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Исследование газового травления в системе Ga As-As Clз-H2 / Ю.В.Жиляев,А.Ю.Куликов,Г.Р.Маркарян и др., 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1487) : Плазмохимическое и ионно-химическое травление-полупроводниковых материалов типа А B : По данным отеч.и зарубеж.печати за 1966-1988 гг. / В.И.Светцов,Н.Г.Данилов,Т.А.Чеснокова, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный. Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Р. Кушхов, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный. Чжан Хай-Ин.Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Чжан Хай-Ин, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный. Горбатов Ю.Б. Исследование процессов травления ионными и атомными пучками, стимулированных потоком фторсодержащих радикалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ю. Б. Горбатов, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный. Багрий И.П. Исследование и разработка способов повышения эффективности плазмохимической микрообработки материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. П. Багрий, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный. Апполонов С.В. Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Апполонов, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Абрамова Е.А. Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. А. Абрамова, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сорокин И.Н. Химическое травление полупроводниковых соединений : Учеб. пособие по курсу "Физ.-хим. основы технологии микроэлектроники" / И.Н.Сорокин,Н.Г.Назаров, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный. Панчук О.О. Взаимодействие теллурида кадмия с водными растворами бихромата калия в минеральных кислотах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.01 / О. О. Панчук, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Беневоленский С.Б. Повышение эффективности травления арсенида галлия в низкотемпературной плазме с использованием гетерогенного катализа и пассивации боковых поверхностей профиля травления продуктами полимеризации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.13 / С. Б. Беневоленский, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный. Сытов И.П. Моделирование процесса фотостимулированного травления кремния в среде хлора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. П. Сытов, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽