Полное описание
> Венгер, Е. Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер. - Киев : Академпериодика, 2007. - 283 с. : ил. - Библиогр.: с. 242-280 ( 168 назв. ). - 300 экз. - ISBN 978-966-360-079-6. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Нац. АН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.216.2 |
Рубрики:
Полупроводниковые пленки
Доп. точки доступа:
Мельничук, А.В.
Стронский, А.В.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/27501)>
Шифр в сводном ЭК: 2a4e9474267e17e8e3869cc68b14fc42
Бабич В.М. Кислород в монокристаллах кремния / В. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер, 1997. - 239 с. - Текст : непосредственный.Мельничук А.В. Решение задач оптимизации с использованием мультиагентных моделей / А. В. Мельничук, Т. В. Сивакова, В. А. Судаков, 2019. - 16 с. - Текст : непосредственный.Библиотека и закон. - Журнал, 2018г. № 1.Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер, 2007. - 283 с. - Текст : непосредственный.Венгер Е.Ф. Поляритонные явления в слоистых пространственно-неоднородных структурах на основе полярных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. Ф. Венгер, 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный.Хахалева Н.И. О порядке учета документов, входящих в состав библиотечного фонда / Н. И. Хахалева, А. В. Мельничук, Т. В. Петрусенко. - Текст : непосредственный // Библиотека и закон : юрид. журн.-справ. - т.333-52-91. - 2018. - N 1. - с. 133-161.
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.
Scheller K. Entstehung eines Nichtgleichgewichtszustandes in einem gekoppelten System aus Elektron-Loch Plasma und akustischen Phononen nach optischer Anregung in einer Halbleiterschicht : Diss. / K.Scheller, 1992. - 85 S. - Текст : непосредственный. Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный.Курило И.В. Структура и физико-механические свойства кристаллов и пленок соединений АII ВVI / И. В. Курило, В. П. Алехин, 2011. - 570 с. - Текст : непосредственный.Металлооксидные пленки: синтез, свойства и применение : монография / С. И. Рембеза [и др.], 2018. - 171 с. - Текст : непосредственный.Ершов И.В. Введение в физику и технологию планарных наноструктур : учебное пособие / И. В. Ершов, В. В. Илясов, 2018. - 99 с. - Текст : непосредственный.Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный.Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.Атакулов Ш.Б. Термические и радиационно-стимулированные процессы в поликристаллических пленках халькогенидов свинца / Ш.Б.Атакулов,И.М.Конанбаев, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный.Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Палатник Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, 1973. - 295 с. - Текст : непосредственный.Carmona M.I.A. Herstellung und Ramanspektroskopische Untersuchungen epitaktischer Schichten von Ge, Si Ge-Mischkristallen und Si/Ge Ubergittern : Diss. / M.I.A.Carmona, 1989. - 197 S. - Текст : непосредственный.Nebel C.E. Ladungstragertransprt und Rekombination in a-SiGe:H : Diss. / C.E.Nebel, 1990. - 174 S. - Текст : непосредственный.Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер, 2007. - 283 с. - Текст : непосредственный.Милехин А.Г. О повышении точности определения плазменной частоты по ИК-спектрам отражения эпитаксиальных пленок / А. Г. Милехин, О. А. Макаров, М. П. Синюков, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Каблукова Н.С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в монокристаллических пленках системы висмут-сурьма / Н. С. Каблукова, 2015. - 22 с. - Текст : непосредственный.Тамбасов И.А. Тонкие In2O3, Fe - In2O3 и Fe3O4 - ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства / И. А. Тамбасов, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный.Мелешко Н.В. Метастабильные состояния, возникающие в пленках а-Si:H) под влиянием внешних воздействий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. В. Мелешко, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Курило О.В. Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Курило, 2005. - 16 c. - Текст : непосредственный.Diamond films : материал технической информации, 1987. - 195 p. - Текст : непосредственный.Комолов А.С. Электронные свойства полупроводниковых структур, содержащих органические пленки политиофена и корбатина : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-миат.наук / А. С. Комолов, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Метлицкая А.В. Моделирование процессов самоорганизации наноструктур при ионном распылении поверхности полупроводников / А. В. Метлицкая, 2014. - 30 с. - Текст : непосредственный.Логинов Ю.Ю. Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. Ю. Логинов, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный.Нуждин М.Ю. Влияние тепловых полей на механизмы роста и фазовых превращений пленок теллурида и сульфотеллуридов кадмия : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / М. Ю. Нуждин, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Малков А.В. Реальная структура тонкопленочных кристаллов селена : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Малков, 2001. - 24 с. - Текст : непосредственный.Стародубцев А.Н. Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Стародубцев, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный.Фещенко И.С. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (AS2S3) x .(As2Se3)1-x, легированных металлами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. С. Фещенко, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный.Jiang X. Untersuchung mechanischer Eigenschaften von a0C:H- und a-Si:H-Schichten mittels Brillouin-Streuung und Nanoindenter / X. Jiang, 1990. - 92 S. - Текст : непосредственный.Моисеенко Е.Т. Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe / Е. Т. Моисеенко, 2014. - 21 с. - Текст : непосредственный.Алтунин Р.Р. Фазообразование при твердофазных реакциях в тонких пленках на основе Al/Au и Fe/Si / Р. Р. Алтунин, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жерихин А.Н. Нелинейная спектроскопия узкозонных полупроводниковых пленок Pr-Ba-Cu-O методом бигармонической накачки / А. Н. Жерихин, В. А. Лобастов, В. М. Петникова, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Барри Умар.Исследование роста эпитаксиальных слоев материалов и их некоторых электрофизических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Барри Умар, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽