Полное описание
Kruger-Elencwajg, H.
ГРНТИ УДК 47.14.07 621.382.33.001.57(043)
Рубрики: Транзисторы биполярные -- Моделирование
Кл.слова (ненормированные): БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/3812/B 499)
Шифр в сводном ЭК: a6db3f4234c70e06c389d15f56af5579
Bohne C. Mikrostruktur, Eigenspannungszustand und Korrosionsbestandigkeit des kurzzeitlaserwarmebehandelten hochstickstofflegierten Werkzeugstahls X30CrMoN 15 1 / C. Bohne, 2000. - VII, 127 S. 127 S. - Текст : непосредственный. Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный. Neutron-scattering instrumentation at the research reactor BER II, 1996. - 50 p. - Текст : непосредственный. Krauser J. Wasserstoff im MOS-System:Bestimmung der Konzentration,Verteilung und Dynamik des Wasserstoffs mit Hilfe der 15N-Methode / J. Krauser, 1996. - 169 S. - Текст : непосредственный. Krappe H.J. Generalizations of Kramers' rate formula : сборник научных трудов / H. J. Krappe. - 21 p. - Текст : непосредственный. Axmann A. Wahl des Moderators fur die Kalte Neutronenquelle des BER II / A. Axmann, K. Gobrecht. - 24 S. - Текст : непосредственный. Kowsky T. Lineare Integralgleichungen 1.Art JbaK(s,t).y(t)dt=f(s) / T. Kowsky, J. Grzanna, 1994. - 29 S. - Текст : непосредственный. Radke R.E.C. Strahlenschadigung in MOS-Varaktoren bei tiefen Temperaturen / R. E.C. Radke, 1993. - 110 S. - Текст : непосредственный. Hoinkis E. The diffusion of Ag in the graphitic matrices A3-3 and A3-27 / E. Hoinkis, 1994. - 60 p. - Текст : непосредственный. HIS(Hydrogen in Solids), 1994. - III,114 S. S. - Текст : непосредственный. Radiologische Auswirkungen eines Flugzeugabsturzes auf den Forschungsreaktor BER II : сборник научных трудов / A. Axmann, R. Bohnert, J. Ehrhardt, I. Hasemann, 1994. - 77 S. - Текст : непосредственный. Das Ionen-Strahl-Labor am HMI / Ionenstrahllaboratorium (Berlin), 1994. - 65 S. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Евсиков И.А. Применение спектральных методов линейной декомпозиции для синтеза на современной элементной базе : специальность 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Евсиков, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный. Solid State Electronics. - Журнал. - Текст : непосредственный. Петухов Г.А. Автоматизация топологического проектирования БИС на базовых кристаллах / Г. А. Петухов, С. А. Арустамов, 1989. - 24 с. - Текст : непосредственный. Лемешко Н.В. Основы проектирования интегральных микросхем : учебное пособие / Н. В. Лемешко, 2010. - 270 с. - Текст : непосредственный. Стемпковский А.Л. Системная среда САПР СБИС / А. Л. Стемпковский, В. А. Шепелев, А. В. Власов, 1994. - 251 c. - Текст : непосредственный. Руденко А.Г. Математические модели и методы решения задачи расчета сечений шин питания БИС/СБИС / А. Г. Руденко, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный. Design methodologies for VLSI and computer architecture : сборник / Ed. D. A. Edwards, 1989. - XIII,348 p. p. - Текст : непосредственный. Journal Microelectronic Systems Integration. - Журнал выходит с 1993г. - Текст : непосредственный. Шишкин В.М. Прогнозирование и оптимизация серийноспособности схем в интегрированной САПР микроэлектронных устройств : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / В. М. Шишкин, 1995. - 33 с. - Текст : непосредственный. Казеннов Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем / Г. Г. Казеннов, 2005. - 295 с. - Текст : непосредственный. Наноинженерия : библиотека: учеб.-метод. комплекс по темат. направлению деятельности ННС "Наноинженерия": в 17-ти кн. / под ред. В. А. Шахнова. 13 : Автоматизированное проектирование наносистем / А. И. Власов [и др.], 2011. - 183 с. - Текст : непосредственный. Семенова О.В. Прецизионная обработка поверхности подложек микроэлектроники порошками ультрадисперсного алмаза : специальность 05.03.01 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. В. Семенова, 2000. - 23 с. - Текст : непосредственный. Романова М.П. Конструирование полупроводниковых микросхем : выставочные материалы / М. П. Романова, 2012. - 87 с. - Текст : непосредственный. Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем-2005 : материалы временных коллективов / Ред. А. Л. Стемпковский, 2005. - 537 с. - Текст : непосредственный. Торгонский Л.А. Проектирование интегральных микросхем и микропроцессоров : учеб. пособие. Разд. 1, 2008. - 254 с. - Текст : непосредственный. Kemper A. Entwurf von Semicustom-Schaltungen / A. Kemper, M. Meyer, 1989. - 10,250 S. S. - Текст : непосредственный. Казеннов Г.Г. Проектирование топологии матричных БИС / Г. Г. Казеннов, Е. В. Сердобинцев, 1990. - 112 с. - Текст : непосредственный. Казеннов Г.Г. Принципы и методология построения САПР БИС / Г. Г. Казеннов, А. Г. Соколов, 1990. - 142 с. - Текст : непосредственный. Жаркой М.Ф. Основы конструирования и технологии производства изделий микроэлектронной аппаратуры : учеб. пособие. Ч. 1, 2008. - 64с. - Текст : непосредственный. Pogatzki P. Lernfahiges Entwurfssystem fur planare Hochfrequenzschaltungen / P. Pogatzki, 1989. - 146 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Николаенков Ю.К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. К. Николаенков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Муратчаев С.А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / С. А. Муратчаев, 1994. - 24 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Карташов С.Е. Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов АзВ5 : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.*наук:01.04.04 / С. Е. Карташов, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный. Хренов Г.Ю. Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5 : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. Ю. Хренов, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный. Kruger-Elencwajg H. Beitrag zur Entwicklung und Parametrisierung SPICE-kompatibler Makromodelle fur diskrete Bipolartransistoren : Diss. / H.Kr@:uger-Elencwajg, 1992. - III,154 S. S. - Текст : непосредственный. Кулькова Е.Ю. Моделирование электронных процессов в сверхскоростных биполярных гетероструктурных транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Е. Ю. Кулькова, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
