Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Латышев А.В. Аналитические методы в кинетической теории / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2008. - 280 с. - Текст : непосредственный.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Латышев А.В. Диагностирование непрерывных систем и цепей / А. В. Латышев, 1990. - 46 c. - Текст : непосредственный.Асеев А.Л. Наука: каменистые тропы и сияющие вершины : сборник / А. Л. Асеев, 2016. - 404 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Граничные задачи для квантовых газов / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2012. - 264 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Палеомагнетизм траппов Сибирской платформы: оценка длительности и интенсивности магматизма на примере Норильского района и Ангаро-Тасеевской впадины / А. В. Латышев, 2013. - 24 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. В. Латышев, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный.Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии / А. Л. Асеев, Л. И. Федина, Д. Хель, Х. Барч ; Ред. С. И. Стенин, 1991. - 148 с. - Текст : непосредственный.
Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Институт физики полупроводников (Новосибирск), 2007. - 367 с. - Текст : непосредственный.Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Рос.АН.Сиб.отд-ние.Институт физики полупроводников, 2004. - 367 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Граничные задачи для вырожденной электронной плазмы / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2006. - 274 с. - Текст : непосредственный.Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2012. - 257 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Неоднородные кинетические задачи. Метод сингулярных интегральных уравнений : Монография / А. В. Латышев, В. Н. ПоповЮшканов А.А., 2004. - 265 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Аналитические решения в теории скин - эффекта / А. В. Латышев, А. А. Юшканов, 2008. - 285 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Бехштедт Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн, 1990. - 484 с. - Текст : непосредственный.Papers from the 26th conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, 17-21 Jan.1999, San Diego(Ca) / Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (26th ; 1999 ; San Diego(Ca)) , 1999. - 1309-1895 p. p. - Текст : непосредственный.Паулиш А.Г. Исследование электронных свойств поверхности эпитаксиального арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Г. Паулиш, 1994. - Текст : непосредственный.Еремеев С.В. Электронные свойства поверхностей металлов, полупроводников, диэлектриков со структурными дефектами, адсорбатами и тонкими пленками : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. В. Еремеев, 2009. - 31 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов М.Б. Фотопроцессы на поверхности нанопористого кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. Б. Кузнецов, 2001. - 15 с. - Текст : непосредственный.Косолобов С.С. Структура и морфология поверхности кремния (111) при адсорбции кислорода и золота / С. С. Косолобов, 2008. - 17 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. В. Латышев, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный.Фроленкова Л.Ю. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. Ю. Фроленкова, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гвелесиани А.А. Поверхностные явления в полупроводниках : учеб. пособие. Ч. 1, 2008. - 77 с. - Текст : непосредственный.Лифшиц В.Г. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии / В. Г. Лифшиц, Ю. В. Луняков, 2004. - 314 с. - Текст : непосредственный.Олянич Д.А. Исследование адсорбции In, Al, Co, Cu и Au на реконструированных поверхностях Si(100) и Si(111) / Д. А. Олянич, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Гордеева А.Б. Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs / А. Б. Гордеева, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽