Полное описание
Шевяков, В. И. ISBN 5-7256-0212-5. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.59.37 621.3.049.771.14.002 47.33.31
Рубрики: Контакт металл-полупроводник
Интегральные схемы большие -- Металлизация
Кл.слова (ненормированные): БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- КОНТАКТ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК -- МЕТАЛЛИЗАЦИЯ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-99/52212)
Шифр в сводном ЭК: b6b648893e9af9db88a41d6cf7756369
Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный. Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков, 1994. - 164 c. - Текст : непосредственный. Чураев С.О. Встраиваемые системы контроля параметров интегральных схем пикосекундного разрешения / С. О. Чураев, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный. Special issue on high-speed circuits : материалы временных коллективов / Ed.: M. Mokhtari, M. G. Stubbs. - 1095-1210 p. p. - Текст : непосредственный. Papers presented at the 12th IEEE VLSI test symposium,1994 / VLSI test symposium (12 ; 1994 ; New York) , 1995. - 529-649 p. p. - Текст : непосредственный. Курейчик В.М. Контролепригодное проектирование и самотестирование СБИС: проблемы и перспективы / В. М. Курейчик, С. И. Родзин, 1994. - 174 c. - Текст : непосредственный. Микросхемы интегральные серии КР580.. К744 / "Электростандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1993. - 224 c. - Текст : непосредственный. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий / И. П. Потапов, В. М. Антимиров, Ю. К. Фортинский, К. И. Таперо, 2007. - 121 с. - Текст : непосредственный. Самойлов В.В. Аналитическое и численное моделирование процессов электро- и теплопереноса в многоточечных электрических контактах : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Самойлов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Овечкин Р.М. Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них : специальность 05.12.07 "Антенны, СВЧ устройства и их технологии" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. М. Овечкин, 2004. - 16 c. - Текст : непосредственный. Packaging handbook, 1991. - Pag.var. мкф. - Текст : непосредственный. Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Сибагатуллин А.Г. Повышение помехоустойчивости аналого-цифровых систем на кристалле средствами адаптивной коррекции сложных функциональных блоков / А. Г. Сибагатуллин, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Schafer B.-J. Einfluss dunner Zwischenschichten auf die Bandkantendiskontinuitat am Ge/GaAs(110)-Halbleiterkontakt / B.-J. Schafer, 1990. - 98 S. - Текст : непосредственный. Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный. Бочкарева Л.В. Переходы Шотки / Л. В. Бочкарева, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Божков В.Г. Контакты металл-полупроводник: физика и модели / В. Г. Божков, 2016. - 526 с. - Текст : непосредственный. Loopstra O.B. AMORPHOUS Mo/Si MULTILAYERS : interdiffusion and structural relaxation; crystallization: Diss. / O.B.Loopstra, 1992. - 113 p. - Текст : непосредственный. Bather K.H. Physiko-chemische Prozesse in Kontakt- und Leitbahnsystemen : Speziell in Silizid/(Barriere)/Al-Systemen: Diss. / K.H.Bather, 1989. - 356 S. - Текст : непосредственный. Susla B. Zastosowanie spektroskopii tunelowej do badania przejsc elektronowych i emisji swiatla w zlaczach metal-izolator-metal / B.Susla, 1993. - 54 s. - Текст : непосредственный. Weidner J.-O. Charakterisierung der Zuverlassigkeit von sub-мm AlSiCu/TiN/Ti/n-Si- Kontakten bei hochbeschleunigten Lebensdauertests : Diss. / J.-O.Weidner, 1999. - 102 S. - Текст : непосредственный. Dupre T. A supersymmetric non-linear o-model for the metal-insulator transition : Diss. / T.Dupre, 1995. - 98 p. - Текст : непосредственный. Физика и применение контакта металл - полупроводник : Сб. науч. тр. / Кубан. гос. ун-т, 1989. - 80 c. - Текст : непосредственный. Guttler H.H. Elektrische Eigenschaften inhomogener Metall-Halbleiter-Grenzflachen : Diss. / H.H.G@:uttler, 1991. - 185 S. - Текст : непосредственный. Sypli A. Zur Untersuchung von Einzelelektroneneffekten in ultrakleinen Al-Al2O3-Al-Tunnelkontakten : Diss. / A.Sypli, 1998. - 106 S. - Текст : непосредственный. Шевяков В.И. Омические и выпрямляющие контакты в ИС : Учеб.пособие / В.И.Шевяков, 1999. - 55 с. - Текст : непосредственный. Schmitz S. Tunnelexperimente zu Anomalien der elektronischen Zustandichte von ungeordneten Metallen : Diss. / S.Schmitz, 1989. - 91 S. - Текст : непосредственный. Rhoderick E.H. Metal-semiconductor contacts / E.H.Rhoderick,R.H.Williams, 1988. - XIII, 252 p. 252 p. - Текст : непосредственный. Никифоров В.В. Электроосаждение и ионизация металлов на полупроводниках / В.В. Никифоров, 2004. - 73 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
