Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗемцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Патрин А.А. Рекомбинационно-активные центры в структурно-несовершенном монокристаллическом и крупнозернистом поликристаллическом кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Патрин, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Лазникова И.Д. Влияние химической структуры олигомерных фотопроводников на их информационные свойства : специальность 02.00.06 "Высокомолекулярные соединения" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / И. Д. Лазникова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Понарина Е.Н. Особенности оптических,электрических и фотоэлектрических свойств аморфного гидрированного кремния с высокой концентрацией водорода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. Н. Понарина, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Доника Ф.Г. Получение и характеризация некоторых полупроводниковых сложных халькогенидов и разработка приборных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10, 01.04.18 / Ф. Г. Доника, 1990. - 63 с. - Текст : непосредственный.Шофман В.Г. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Г. Шофман, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Richter R. Mikrocharakterisierung und-strukturierung von GaAs(100)-Oberflachen und deren Metallisierungen / R.Richter, 1991. - VII,154 S. S. - Текст : непосредственный.Кузнецова Т.К. Влияние фазового состава и микроструктуры на полупроводниковые и позисторные свойства материалов на основе феррониобата свинца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.07 / Т. К. Кузнецова, 1999. - 25 с. - Текст : непосредственный.Федянин А.А. Генерация электроиндуцированной второй гармоники в полупроводниковых структурах и тонких пленках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / А. А. Федянин, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Баранова Е.П. Электрическая релаксация и фотоиндуцированные явления в поликристаллах Pb3O4 : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Е. П. Баранова, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.Новгородцева Л.В. Система GaSb - ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / Л.В. Новгородцева, 2005. - 23 с. - Текст : непосредственный.Ганиев М.Х. Гидрогенизированные аморфные полупроводники а-Si C :H.Получение и свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / М. Х. Ганиев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Денисов В.М. Исследование свойств и межфазного взаимодействия в системах полупроводник - металл, полупроводник - соль, полупроводник - оксид в твердом и жидком состояниях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук:02.00.04 / В. М. Денисов, 1993. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽