Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Филиппов Г.М. Теория движения квантовых частиц в сплошных средах и модели расчета поляризационных характеристик твердых тел : специальность 01.04.02 "Теоретическая физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Г. М. Филиппов, 1992. - 25 с. - Текст : непосредственный.Доморощина Е.Н. Исследование состава, строения и свойств кристаллов семейства лангасита в зависимости от условий выращивания : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. аук / Е. Н. Доморощина, 2005. - 23 с. - Текст : непосредственный.Высоцкий В.И. Индуцированно-дисперсионный механизм ориентационного движения нейтральных частиц в кристаллах / В. И. Высоцкий, Н. В. Максюта, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Стриханов М.Н. Ионизационные и радиационные процессы при прохождении релятивистских заряженных частиц через изогнутые кристаллы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.16 / М. Н. Стриханов, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Трушин Ю.В. Физические основы радиационного материаловедения : Учеб.пособие / Ю.В.Трушин, 1996. - 82 с. - Текст : непосредственный.Павлов А.П. Влияние ионного облучения на субструктуру и свойства поликристаллических пленок металлов и кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / А. П. Павлов, 1994. - 21 с. - Текст : непосредственный.Janev R.K. Unified analytic formula for physical sputtering yield at normal ion incidence / R.K.Janev,Y.V.Ralchenko,T.Kenmotsu, 2001. - 13 p. - Текст : непосредственный.Высоцкий В.И. Модели и теория допорогового когерентного взаимодействия коротковолнового излучения и частиц с кристаллами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.02,01.04.07 / В. И. Высоцкий, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Гюрджян В.А. Экспериментальное исследование спектральных и интегральных характеристик излучения электронов с энергией 4.5 ГэВ в условиях каналирования в толстых кристаллических структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.16 / В. А. Гюрджян, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Проблемы применения эффектов каналирования частиц кристаллами в физике высоких энергий : Материалы Всесоюз. совещ. Крат.сообщ. / Институт физики высоких энергий (Серпухов, Моск. обл.), 1991. - 132 с. - Текст : непосредственный.Чудинов В.Г. Атомные механизмы первичных процессов при радиационном воздействии на твердое тело : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Г. Чудинов, 1992. - 50 с. - Текст : непосредственный.Попырин С.Л. Кинетические модели неравновесных фазовых переходов,связанных с возникновением ближнего и дальнего порядка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.03 / С. Л. Попырин, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Нелинейная динамика неравновесных систем : учеб. пособие : в 3 ч. / Тамб. гос. ун-т им. Г. Р. Державина. Ч. 1 : Динамика пластических неустойчивостей в деформируемых твердых телах / А. А. Шибков [и др.], 2012. - 183 с. - Текст : непосредственный.Рудько В.Н. Резонансные эффекты при распространении излучений и частиц в периодически-неоднородных твердых телах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Н. Рудько, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Ориентационная зависимость угловых распределений излучения релятивистских электронов в кристаллах / А.П.Антипенко,С.В.Блажевич,Г.Л.Бочек и др., 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Пахомов А.Ю. Доменная структура и процессы усталости тонких сегнетоэлектрических пленок : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. Ю. Пахомов, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Орлов В.Л. Феноменологическая теория неустойчивостей системы точечных дефектов в твердом теле при радиационном воздействии : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. Л. Орлов, 2006. - 39 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Сафин Н.В. Моделирование траекторий быстрых протонов и ядер в прямых и изогнутых кристаллах : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. В. Сафин, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Стысин А.В. Резонансное когерентное возбуждение релятивистских ионов при прохождении через ориентированные кристаллы вне условий каналирования : специальность 01.04.16 "Физика атомного ядра и элементарных частиц" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Стысин, 2009. - 14 с. - Текст : непосредственный.Воскобойников Р.Е. Особенности кинетики структурно-фазовых превращений под облучением и изменение физико-механических свойств твердых тел : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. Е. Воскобойников, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный.Филиппов Г.М. Теория движения квантовых частиц в сплошных средах и модели расчета поляризационных характеристик твердых тел : специальность 01.04.02 "Теоретическая физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Г. М. Филиппов, 1992. - 25 с. - Текст : непосредственный.Зырянов С.С. Анализ и модификация поверхности твердых тел с использованием пучков ускоренных заряженных частиц / С. С. Зырянов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Садыков Н.М.-Р. Статистическая теория каналирования быстрых заряженных частиц в кристаллах. Три режима движения : специальность 01.04.02 "Теоретическая физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Н.М.-Р. Садыков, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кунашенко Ю.П. Когерентные эффекты типа Б при образовании свободных и связанных e\В+\вe\В-\в пар фотонами и ядрами высоких энергий в кристаллах : специальность 01.04.16 "Физика атомного ядра и элементарных частиц" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. П. Кунашенко, 2000. - 38 с. - Текст : непосредственный.Лебедкина Т.А. Исследование электронных ловушек в гамма-окрашенных щелочно-галоидных кристаллах в инфракрасном диапазоне : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Т. А. Лебедкина, 1999. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мосунов А.С. Влияние свойств поверхности на процессы рассеяния и распыления атомных частиц : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. С. Мосунов, 1998. - 35 с. - Текст : непосредственный.Хоконов М.Х. Процессы прохождения и излучения заряженных частиц высоких энергий в ориентированных кристаллах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / М. Х. Хоконов, 1993. - 35 с. - Текст : непосредственный.Бабаев А.А. Спиновые эффекты при плоскостном каналировании релятивистских электронов, позитронов и тяжелых водородоподобных ионов / А. А. Бабаев, 2009. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽