Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Наумов В.И. Физические основы безопасности ядерных реакторов / В. И. Наумов, 2003. - 154 с. - Текст : непосредственный.
Филиппов А.А. Оценка влияния и способы защиты от опасных и вредных факторов в метизном производстве : учебное пособие / А. А. Филиппов, Г. В. Пачурин, В. И. Наумов, 2017. - 192 с. - Текст : непосредственный.Наумов В.И. Расчет режимов процесса легирования полупроводниковых материалов : Учеб.пособие для студ.спец."Материалы и компоненты твердотельной электроники"и"Электроника и микроэлектроника" / В.И.Наумов,Г.Л.Гольденберг, 1998. - 52 с. - Текст : непосредственный.Атом. Химическая связь и строение вещества / В. И. Наумов [и др.], 2012. - 343 с. - Текст : непосредственный.Наумов В.И. Физический расчет жидкосолевых реакторов : Учеб. пособие / В.И.Наумов, 1993. - 61 c. - Текст : непосредственный.Наумов В.И. Избирательное законодательство России: этапы становления : Учеб.пособие для студентов,аспирантов и преподавателей юрид.фак.и вузов / В.И.Наумов, 1998. - 84 с. - Текст : непосредственный.Наумов В.И. Толкование норм права : Учеб.пособие для студентов,аспирантов и преподавателей юрид.фак.и вузов / В.И.Наумов, 1998. - 76 с. - Текст : непосредственный.Наумов В.И. Численные методы и их применение в энергомашиностроении : Учеб.пособие / В. И. Наумов, Б. И. Соколов, Т. В. Тринос, 1996. - 68 c. - Текст : непосредственный.Горение и течение в агрегатах энергоустановок: моделирование, энергетика, экология / В.Г.Крюков,В.И.Наумов,А.В.Демин и др.;Под ред. В.Е.Алемасова, 1997. - 304 с. - Текст : непосредственный.Город атомных субмарин. Большому Камню - 65 лет / авт. текста В. И. Наумов, 2012. - 127 с. - Текст : непосредственный.Хабаровский край. Горнодобывающий комплекс: вчера, сегодня, завтра / [Текст В. И. Наумов], 2011. - 127 с. - Текст : непосредственный.Наумов В.И. Химические элементы и их роль в обеспечении технологических свойств металлов, сплавов и расплавов / В. И. Наумов, Г. В. Пачурин, 2014. - 253 с. - Текст : непосредственный.Извлечение хрома (III) из шламов гальванических производств / Ю. И. Наумов [и др.]. - Текст : непосредственный // Гальванотехника и обработка поверхности. - М. - 2011. - Т. 19 № 1. - с. 56-62Наумов В.И. Утилизация ваграночных шлаков металлургических производств / В.И. Наумов, Ю.И. Наумов, А.Д. Самсонова. - Текст : непосредственный // Экология и промышленность России. ЭКиП. - М. - 2009. - Октябрь. - с. 33-35Наумов В.И. Комплексные соединения : учебное пособие / В. И. Наумов, Ж. В. Мацулевич, О. Н. Ковалева, 2019. - 172 с. - Текст : непосредственный.Строение атома и химическая связь / В. И. Наумов [и др.], 2009. - 188 с. - Текст : непосредственный.Утилизация шламов гальванических производств / В.И. Наумов, Ю.И. Наумов, А.Л. Галкин, Т.В. Сазонтьев. - Текст : непосредственный // Гальванотехника и обработка поверхности. - М. - 2009. - Т. 17 № 3. - с. 41-47.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыFrey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.
Наумов В.И. Расчет режимов процесса легирования полупроводниковых материалов : Учеб.пособие для студ.спец."Материалы и компоненты твердотельной электроники"и"Электроника и микроэлектроника" / В.И.Наумов,Г.Л.Гольденберг, 1998. - 52 с. - Текст : непосредственный.Дефектообразование как механизм создания свободных и локализованных дырок в Na-легированных полупроводниках типа PbTe / Г.Т.Алексеева,Ю.А.Дегтярев,Т.В.Жукова и др., 1991. - 46 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов / В.В. Козловский; Отв. ред. Р.Ш. Малкович, 2003. - 268 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники : Учеб.пособие для вузов / Э.Т.Шипатов, 1998. - 199 с. - Текст : непосредственный.Суворинов А.В. Ионно-лучевая модификация материалов : Учеб. пособие / А.В.Суворинов, 1990. - 108 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев Ю.Н. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа A BYI / Ю. Н. Дмитриев, В. Д. Рыжиков, Л. П. Гальчинецкий, 1990. - 50 с. - Текст : непосредственный.Фотостимулированные процессы в светочувствительных системах ХСП-А / В.А.Данько,И.З.Индутный,О.П.Касярум и др., 1989. - 26 с. - Текст : непосредственный.Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение) : Монография / В.И.Фистуль, 2004. - 431 с. - Текст : непосредственный.Костикова Г.П. Химические процессы при легировании оксидов / Г.П.Костикова,Ю.П.Костиков, 1997. - 156 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 19 : Gettering defects in semiconductors / V. A. Perevostchikov, V. D. Skoupov, 2005. - XV,386 p. - Текст : непосредственный.Реутов В.Ф. ПЭМ-изучение в геометрии "Cross-Section" структурных изменений в кремнии в результате последовательного облучения ионами N + He и Ar +He / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Легирование материалов А В радиационными дефектами : Препринт / В.В.Козловский,В.Н.Абросимова, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Марголин В.И. Основы нанотехнологии. Электронная литография и ионная имплантация : Учеб.пособие / В.И.Марголин,В.А.Тупик, 2000. - 55 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽