Полное описание
Синтез тонких пленок карбида кремния методом вакуумного лазерного испарения и исследование их свойств / Н. И. Каргин, А. С. Гусев, С. М. Рындя [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - С. 82-84. ГРНТИ 47.09.29 + 29.19.16 Аннотация: Изучены физико-технологические особенности синтеза тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции, в частности, анализа влияния температуры подложки на структурные свойства и морфологию поверхности экспериментальных образцов. Доп. точки доступа:
Экз-ры полностью eeb7d76080b92de642ddf4520ba12350 Все экземпляры списаны Нет сведений об экземплярах Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -311289-561730)
Шифр в сводном ЭК: 0c960c30fa20fc88d538bbd573b7f7af
Уткин Э.А. Справочник по аудиту / Э. А. Уткин, М. И. Майданчик, С. Я. Юсупова, А. С. Гусев, 1999. - 431 с. - Текст : непосредственный. Бондаренко Е.А. Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней ИК области спектра оптического излучения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Е. А. Бондаренко, 1995. - 47 с. - Текст : непосредственный. Бондаренко Е.А. Модель импульсного реактора периодического действия ИБР-2 для исследования переходных процессов / Е. А. Бондаренко, Ю. Н. Пепелышев, А. К. Попов, 1999. - 12 с. - Текст : непосредственный. Бондаренко Е.А. Исследование люминесцентных свойств SrTiO3:Pr3+, Al при фото- и электровозбуждении : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. А. Бондаренко, 2004. - 23 c. - Текст : непосредственный. Научные и технические библиотеки. - Журнал, 2015г. № 6. - Текст : непосредственный. Бондаренко Е.А. Управление проектами : учебное пособие / Е. А. Бондаренко, М. А. Юзбеков, 2007. - 222 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Гусев А.С. Звездное население и процессы современного звёздообразования в галактиках / А. С. Гусев, 2018. - 31 с. - Текст : непосредственный. Библиография. - Журнал, 2019г. № 2. - Текст : непосредственный. Бондаренко А.А. Рационализация трансакционного компонента логистических издержек (на примере предприятий отрасли связи ЮФО) / А. А. Бондаренко, Е. А. Бондаренко, 2010. - 163 с. - Текст : непосредственный. Гусев А.С. Избранные задачи по динамике механических систем и конструкций : учеб. пособие / А. С. Гусев, В. И. Щербаков, И. С. Чабунин, 2008. - 152 с. - Текст : непосредственный. Бондаренко Е. А. Медиаобразование: шаг в будущее. Исследования лаборатории медиаобразования ИСМО РАО / Е. А. Бондаренко. - Текст : непосредственный // Медийно-информационная грамотность в России: дорога в будущее : сб. материалов Всерос. науч.-практ. конф. "Медиа- и информ. грамотность в информ. о-ве", 24-27 апр. 2013 г., Москва / "Медиа- и информационная грамотность в информационном обществе", Всероссийская науч.-практическая конф. (2013 ; Москва) . - М. : МЦБС, 2015. - 2-е изд., расшир. и доп. - с. 85-92 Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. IBM Journal Research <& >Development / IBM. - Журнал выходит с 1957г. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. Neuffer A. Diagnostik und Modellierung einer planaren Magnetron-Sputterquelle / A. Neuffer, 1999. - 113 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Микро- и нанотехнологии в электронике : материалы междунар. науч.-техн. конф., 21-27 сент. 2009 г., 2009. - 259 с. - Текст : непосредственный. Размерный эффект температуры плавления металлических частиц / Т. М. Таова, М. Х. Хоконов, Б. С. Карамурзов [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 5-13 Карамурзов Б.С. Экспериментальный комплекс для исследования строения и свойств наносистем / Б. С. Карамурзов, Р. И. Тегаев, Х. Б. Хоконов. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 28-35 Ионная полировка поверхности поликристалла ниобата лития / В. М. Гармаш, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 55-57. Панов М.Ф. Эллипсометрия как инструмент микро- и нанотехнологий / М. Ф. Панов. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 71-73 Синтез тонких пленок карбида кремния методом вакуумного лазерного испарения и исследование их свойств / Н. И. Каргин, А. С. Гусев, С. М. Рындя [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 82-84. Интерференционные явления в плоских нано- и микрокристаллах бромистого серебра / И. К. Азизов, Б. А. Белимготов, З. И. Карданова [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 101-102 Трехмерные датчики магнитного поля на основе магниторезестивных структур с наноразмерными толщинами пленок / В. В. Амеличев, Р. О. Гаврилов, И. А. Гамарц [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 236-238 Козловский Э.Ю. СВЧ-микроприборы на основе pНЕМТ-наногетероструктур / Э. Ю. Козловский, Б. И. Селезнев. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 245-247. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
