Приложение
для AndroidПолное описание
Ионная полировка поверхности поликристалла ниобата лития / В. М. Гармаш, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - С. 55-57.
ГРНТИ 47.09.29
Аннотация: Установление возможности использования дополнительной ионной полировки поверхности монокристаллических подложек ниобата лития для уменьшения наношероховатости и получения более структурно-совершенных эпитаксильных слоев.
Доп. точки доступа:
Гармаш, В.М.
Кузнецов, Г.Д.
Курочка, А.С.
Сергиенко, А.А.
Все экземпляры списаны
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -631832-064893)
Шифр в сводном ЭК: 49f1042960e073e7b8fd1b12d6a74e50
Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, С. Б. Симакин, Д. Н. Демченкова, 2008. - 190 с. - Текст : непосредственный.Крапухин В.В. Технология материалов электронной техники.Теория процессов полупроводниковой технологии : выставочные материалы / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов, 1995. - 492 с. - Текст : непосредственный.
Элионная технология в микро- и наноиндустрии. Ускоренные ионы : учеб. пособие / Г. Д. Кузнецов [и др.], 2012. - 127 с. - Текст : электронный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1628) : Источники спонтанного и вынужденного мягкого рентгеновского излучения / В.М.Буймистров,В.М.Гармаш,Г.А.Ермаков,Ю.А.Кротов, 1991. - 44 с. - Текст : непосредственный.Сергиенко А.А. Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Сергиенко, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Системный анализ в технике : Темат. сб. науч. тр. / Московский авиационный ин-т им.С.Орджоникидзе, 1992. - 70 с. - Текст : непосредственный.Системный анализ в технике-3 : Темат. сб. науч. тр. / Моск. авиац. ин-т им. С.Орджоникидзе, 1994. - 75 c. - Текст : непосредственный.Сергиенко А.А. Выбор оптимальных размеров и контура круглого сопла : Учеб. пособие / А. А. Сергиенко, В. В. Семенов, А. А. Собачкин, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Элионная технология в микро- и наноиндустрии : курс лекций / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, Б. А. Билалов, 2008. - 155 с. - Текст : непосредственный.Сергиенко А.А. Проектирование жидкостных ракетных двигателей с большими давлениями в камере: (Роторные двигатели) : Учеб. пособие / А.А.Сергиенко,Б.В.Овсянников, 1993. - 32 с. - Текст : непосредственный.Курочка С.П. Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций : учеб. пособие / С. П. Курочка, А. А. Сергиенко, 2015. - 81 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Ионная полировка поверхности поликристалла ниобата лития / В. М. Гармаш, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 55-57.Кузнецов Г.Д. Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния : особенности получения гетерокомпозиций на основе карбида кремния / Г. Д. Кузнецов, Н. И. Каргин, Г. К. Сафаралиев, 2019. - 205 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом. Ускоренные электроны : учеб. пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2012. - 96 с. - Текст : электронный.Кузнецов Г.Д. Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом. Ускоренные электроны : учеб. пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2012. - 96 с. - Текст : непосредственный.Курочка А.С. Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. С. Курочка, 2013. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМикро- и нанотехнологии в электронике : материалы междунар. науч.-техн. конф., 21-27 сент. 2009 г., 2009. - 259 с. - Текст : непосредственный.Ионная полировка поверхности поликристалла ниобата лития / В. М. Гармаш, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 55-57.
Микро- и нанотехнологии в электронике : материалы междунар. науч.-техн. конф., 21-27 сент. 2009 г., 2009. - 259 с. - Текст : непосредственный.Размерный эффект температуры плавления металлических частиц / Т. М. Таова, М. Х. Хоконов, Б. С. Карамурзов [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 5-13Карамурзов Б.С. Экспериментальный комплекс для исследования строения и свойств наносистем / Б. С. Карамурзов, Р. И. Тегаев, Х. Б. Хоконов. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 28-35Ионная полировка поверхности поликристалла ниобата лития / В. М. Гармаш, Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 55-57.Панов М.Ф. Эллипсометрия как инструмент микро- и нанотехнологий / М. Ф. Панов. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 71-73Синтез тонких пленок карбида кремния методом вакуумного лазерного испарения и исследование их свойств / Н. И. Каргин, А. С. Гусев, С. М. Рындя [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 82-84.Интерференционные явления в плоских нано- и микрокристаллах бромистого серебра / И. К. Азизов, Б. А. Белимготов, З. И. Карданова [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 101-102Трехмерные датчики магнитного поля на основе магниторезестивных структур с наноразмерными толщинами пленок / В. В. Амеличев, Р. О. Гаврилов, И. А. Гамарц [и др.]. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 236-238Козловский Э.Ю. СВЧ-микроприборы на основе pНЕМТ-наногетероструктур / Э. Ю. Козловский, Б. И. Селезнев. - Текст : непосредственный // Микро- и нанотехнологии в электронике. - Нальчик : Каб.-Балк. гос. ун-т, 2009. - с. 245-247.
Заказ фрагмента документа ₽