• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Андреев, Д. В. Моделирование зарядовых явлений в датчиках ионизирующих излучений на основе структур металл - диэлектрик - полупроводник с наноразмерными диэлектрическими слоями / Д. В. Андреев, А. Д. Головин. - Текст : непосредственный // Наноинженерия - 2011. - М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2011. - С. 210-214. - Библиогр.: 3 назв.
    ГРНТИ 59.29.29 + 29.19.21

    Аннотация: Проведено исследование и математическое моделирование воздействия ионизирующих излучений на МДП-структуры (металл - диэлектрик - полупроводник), являющиеся активным элементом сенсора радиационных излучений. В качестве экспериментальных образцов использованы тестовые МДП-конденсаторы, изготовленные промышленным способом на пластинах КЭФ-4,5 диаметром 100 мм.
    Доп. точки доступа:
    Головин, А.Д.

    Экз-ры полностью 9835315c51fb8d0ce74075ae89c8e440
    Нет сведений об экземплярах
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -533359-149266)

    Шифр в сводном ЭК: 42ddbe33dc737d971c4372511f794dbd




    Заказ фрагмента документа ₽