Полное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКалимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Немтинов В.Б. Структурная теория и математическое моделирование оптико- и лазерно-электронных систем : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Б. Немтинов, 2004. - 32 с. - Текст : непосредственный.Соколов И.А. Динамические решетки объемного заряда в фоточувствительных средах и адаптивные фотоприемники на их основе : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / И. А. Соколов, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Воеводин В.Г. Элементы оптической электроники на основе соединений А В С: получение, свойства и применение : специальность 01.04.05 "Оптика", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Г. Воеводин, 2003. - 46 с. - Текст : непосредственный.Суковатый А.Н. Разработка и исследование временных методов регистрации слабых световых сигналов : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения ", 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Суковатый, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кириллов В.С. Статистический анализ стохастических скачкообразных процессов / В. С. Кириллов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Кривоконь Д.С. Математическое обеспечение систем оценки положения движущихся объектов с использованием рандомизированных алгоритмов стохастической оптимизации / Д. С. Кривоконь, 2016. - 16 с. - Текст : непосредственный.Николаев В.В. Оптоэлектрические полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Николаев, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный.Уздовский В.В. Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Уздовский, 2005. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Шерман М.М. Электрооптические свойства жидкокристаллических слоев со случайными планарными условиями на границах / М. М. Шерман, 2012. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Назаров Н. Создание и исследование фотоэлектропреобразовательных структур на основе широкозонных полупроводников А В, интегрированных с кремнием : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. Назаров, 1994. - 42 с. - Текст : непосредственный.Ruders F. Kurzzeitspektroskopie an Photodetektoren aus Si, InP und YBa2Cu3O7-x / F. Ruders, 1996. - III,110,IIIV S. S. - Текст : непосредственный.Стамов И.Г. Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе / И. Г. Стамов, 2017. - 37 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽