Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАнищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.
Панюхин А.В. Моделирование технологических процессов микроэлектроники. Термообработка и окисление : Учеб. пособие / А.В.Панюхин, 1991. - 75 с. - Текст : непосредственный.Моделирование и проектирование приборов и систем микро-и наноэлектроники : Межвуз.сб. / Моск.гос.ин-т электрон.техники(Техн.ун-т), 1994. - 155 c. - Текст : непосредственный.Моделирование технологических процессов микроэлектроники : Сб.ст. / Отв.ред.Т.М.Махвиладзе, 1992. - 120 с. - Текст : непосредственный.Хоботнев О.Ю. Математическая модель формирования сплошных тонких пленок центрифугированием в производстве элементной базы микроэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.18 / О. Ю. Хоботнев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Муратов А.В. Моделирование и алгоритмизация процесса опережающего теплофизического проектирования в САПР микроэлектронных устройств и аппаратуры : Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук в форме науч. докл.:05.13.12 / А. В. Муратов, 1993. - 33 с. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Многопараметрические статистические модели в задачах квантовой информатики и микроэлектроники : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.13.18 / Ю. И. Богданов, 2004. - 44 с. - Текст : непосредственный.Волкова Е.А. Моделирование лазерно-стимулированных процессов травления и осаждения в микротехнологии / Е. А. Волкова, А. С. Ковалев, А. М. Попов, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный.Труды ФТИАН / Российская академия наук, Физико-технологический институт. Т. 17 : Математическое моделирование субмикронных технологий и приборов. III, 2001. - 109 с. - Текст : непосредственный.Быкадорова, Г. В. Математическое моделирование технологических процессов в микроэлектронике : Учеб.пособие для студентов вузов. Ч. 1 : Диффузия, 1997. - 116 с. - Текст : непосредственный.Корчагин А.Ф. Разработка глобального метода экстракции статических SPICE параметров микроэлектронных приборов на основе моделирования вольтамперных характеристик : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Ф. Корчагин, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Бакшеев Д.Г. Моделирование влияния пространственных неоднородностей потенциала, высокочастотных полей и кулоновской блокады на электронный транспорт в наноструктурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.13.16 / Д. Г. Бакшеев, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сарычев М.Е. Нелинейно-диффузионные кинетические модели процессов микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук в форме науч.докл.:05.27.01 / М. Е. Сарычев, 1993. - 53 с. - Текст : непосредственный.Rusu A. Modelarea componentelor microelectronice active / A.Rusu, 1990. - 198 p. - Текст : непосредственный.Мороков Ю.Н. Математическое моделирование квантовых свойств наноразмерных систем : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.13.18 / Ю. Н. Мороков, 2004. - 32 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽