Полное описание
Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. : ил. - англ. - Пер.ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: // Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Текст : непосредственный. ГРНТИ 47.33 Рубрики: Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ -- НАСЫЩЕНИЕ -- ТРАНЗИСТОР Доп. точки доступа: Держатели документа:
Шифр в сводном ЭК: ba7896fe96b173c588d5268c7c5d13de
Пул Л. Работа на персональном компьютере / Л. Пул ; ред. Е. К. Масловский, 1986. - 383 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Poole I. D. Computer terminology explained / I. D. Poole, 1984. - 81 p. - Текст : непосредственный. Пул Ч. Справочное руководство по физике : Фундаментальные концепции, основные уравнения и формулы / Ч.Пул;Пер. с англ. М.В.Фоминой, А.В.Хачояна, Д.Е.Лейкина и др., 2001. - 461 с. - Текст : непосредственный. Poole C. Developer's digital media reference : new tools, new methods / C. Poole, J. Bradley, 2003. - XXXI, 530 p. - Текст : непосредственный. Пул Д.Х. Когда менеджмент приносит деньги : Наставления учреждениям культуры всех стран / Д.Х.Пул, 1999. - 197 с. - Текст : непосредственный. Copper oxide superconductors / C.P.Poole,T.Datta,H.A.Farach и др., 1988. - XII,289 p. p. - Текст : непосредственный. Stratigraphy and structure of Paleozoic outer continental-margin rocks in Pilot Knob Valley,north-central Mojave Desert,California / M.D.Carr,A.G.Harris,F.G.Poole,R.J.Fleck, 1992. - 33 p. - Текст : непосредственный. Spangenberg B. Quantitative Thin-Layer Chromatography : A Practical Survey / by Bernd Spangenberg, Colin F. Poole, Christel Weins., 2011 r=on-line (Введено оглавление). - Текст : электронный. Poole L. Your Atari computer : A guide to Atari 400/800 computers:Ксерокоп.в 2-х кор. / L.Poole,M.McNiff,S.Cook, 1982. - 458 p. - Текст : непосредственный. Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. - Текст : непосредственный. Пул Ч. Мир материалов и технологий. Нанотехнологии : учеб.-монография / Ч.Пул,Ф.Оуэнс;Пер. с англ. под ред. Ю.И. Головина, 2004. - 327 с. Пул Ч. Мир материалов и технологий. Нанотехнологии : учеб.-монография / Ч.Пул,Ф.Оуэнс;Пер. с англ. под ред. Ю.И. Головина, 2004. - 327 с. - Текст : непосредственный. Mineral resources of the Mancos Mesa Wilderness study area, San Juan County(Ut) / F.G.Poole,G.A.Desborough,H.N.Barton и др., 1989. - V,14 p. p. - Текст : непосредственный. Poole, Alex. Learning a foreign language : understanding the fundamentals of linguistics / Alex Poole., [2020]. - 2 с. (Введено оглавление). - Текст : электронный. Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный. Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern / R. Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный. Биполярные транзисторы в аналоговых электронных схемах / И.А.Селиванов,А.С.Карандаев,В.Ф.Барсуков и др., 2001. - 219 с. - Текст : непосредственный. Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный. Воронков Э.Н. Биполярные транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный. Leistungs-Halbleiter : Leistungs-Module IGBT 2.Generation, 1995. - 341 S. - Текст : непосредственный. Библиотека электронных компонентов. Вып. 28 : Infineon: транзисторы S-IGBT, интеллектуальные ключи и мостовые драйверы, 2003. - 63 с. - Текст : непосредственный. Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный. Wijnen P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. / P.J. van Wijnen, 1992. - V,265 p. p. - Текст : непосредственный. Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный. Ямпурин Н.П. Биполярные транзисторы (функционирование, схемы, применение) : Учеб.пособие / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный. Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. - Текст : непосредственный. Pan Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : Diss. / Y.Pan, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
