Приложение
для AndroidПолное описание
Левонович, Б. Н. Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы А2В6 с управляемыми свойствами : автореф. дис. ... д-ра техн. наук: 05.17.01, 01.04.10 / Б. Н. Левонович. - М., 2010. - 43 с. : ил. - Библиогр.: с. 41-43 (46 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.5(043) | |
| 47.33.33 | 537.311.322:539.23(043) | |
| 621.383-047.84(043) |
Кл.слова (ненормированные): КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ -- ПРОИЗВОДСТВО
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР10-29595)
Шифр в сводном ЭК: 8b5738060bbad0217f8a830606c58194
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Скуридин Р.В. Влияние вибрационно-акустических воздействий на конвективные течения : специальность 01.02.05 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. В. Скуридин, 2004. - 16 с. - Текст : непосредственный.Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Дерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern / R. Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный.Филаретов А.Г. Влияние условий роста в методе молекулярно-пучковой эпитаксии на формирование границ раздела соединений А В : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Г. Филаретов, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Силаев И.В. Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского / И. В. Силаев, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Дирин Д.Н. Особенности роста и оптические свойства нанокристаллов CdTe и гетероструктур на их основе / Д. Н. Дирин, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.М. Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. М. Смирнов, 2000. - 23 с. - Текст : непосредственный.Вотинцева Е.Е. Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства : специальность 05.27.06 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн.наук / Е. Е. Вотинцева, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кулик А.В. Гидродинамика и тепломассообмен при выращивании объемных кристаллов карбида кремния : специальность 01.02.05 "" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Кулик, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽