Полное описание
Carter, M. R. ISBN 0-7058-1549-8. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.09.29 016:621.315.592 621.315.592(0:01)
Рубрики: Полупроводники -- Библиография
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа: Jain, S.C.
Totterdell, D.H.J.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/446/R 13649)
Шифр в сводном ЭК: b31f04e592d38927eed2d47ee2647037
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Carter M.R. Bibliography and abstracts of the papers for Si/Ge strained layers and devices (1984-1988) / M.R.Carter,S.C.Jain,D.H.J.Totterdell, 1989. - 52 p. - Текст : непосредственный. Carter M.R. Bibliography and abstracts of selected papers on III-V semiconductors / M.R.Carter,S.C.Jain,D.H.J.Totterdell, 1989. - 19 p. - Текст : непосредственный. Jain S.C. Devices based on GexSi1-x strained layers and superlattices / S.C.Jain,D.H.J.Totterdell, 1989. - 17 p. - Текст : непосредственный. Gosling T.J. Strain in heavily doped GexSi1-x epitaxial layers and its effect on the indirect band gap of these layers / T.J.Gosling,S.C.Jain,D.H.J.Totterdell, 1989. - II,7 p. p. - Текст : непосредственный. Селлих К. Переговоры в международном бизнесе : практ. руководство: пер. с англ. / К. Селлих, С.С. Джейн, 2004. - 333 с. - Текст : непосредственный. Hopper M.J. Local TSSD guide : доклад, тезисы доклада / M. J. Hopper, 1989. - 50 p. - Текст : непосредственный. Brown P.E. modern assy active handling facility for chemical and allied research and development work / P. E. Brown, D. Campbell, J. R. Findlay, 1989. - 26 p. - Текст : непосредственный. equilibrium leach testing of ferric/aluminium hydroxide flocs / P. Biddle, B. F. Greenfield, P. S. Greenham, J. H. Rees, 1989. - 23 p. - Текст : непосредственный. potential use of transmission tomography techniques for the quality checking of cement encapsulated and vitrified wastes : сборник научных трудов / J. Huddleston, I. G. Hutchinson, S. F. Burch, J. K. Perring, 1989. - 42 p. - Текст : непосредственный. Experimental studies on the chemical and radiation decomposition of intermediate level wastes containing organic materials : доклад, тезисы доклада / S. Bradshaw, S. C. Gaudie, B. F. Greenfield, 1989. - 66 p. - Текст : непосредственный. Hughes M.A. Voltammetric studies of the solution chemistry of technetium / M. A. Hughes, F. J.C. Rossotti, 1989. - 110 p. - Текст : непосредственный. study of equilibrium solids in actinide solubility experiments : доклад, тезисы доклада / A. B. Buchan, F. T. Ewart, G. J. Ormerod, H. P. Thomason, 1989. - 14 p. - Текст : непосредственный. Studies of environmental radioactivity in Cumbria. Pt. 16 : Trends in radionuclide concentrations in coastal airborne and deposited materials 1978-1987 / N.J.Fattenden,R.S.Cambray,K.Playford, 1989. - 38 p. - Текст : непосредственный. Studies of environmental radioactivity in Cumbria. Pt. 19 : Possible influence of tributyl phosphate on aerosol generation in Cumbrian coastal waters / W.A.McKay, M.I.Walker, C.Szweda, 1989. - 19 p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
