ГПНТБ России - Полное описание

Полное описание

Юрчук, С. Ю. Основы математического моделирования : учеб. пособие / С. Ю. Юрчук ; Нац. исслед. технол. ун-т "МИСиС". Каф. полупроводниковой электроники и физики полупроводников. - М. : МИСИС, 2014. - 107 с. : ил. - Библиогр.: с. 107 (10 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-87623-811-5. - Текст : электронный.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
Содержание:

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382-047.84-047.58
47.01.77
	ББК
	32.85

Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Производство -- Моделирование

Кл.слова (ненормированные): ДИФФУЗНЫЙ ПРОЦЕСС -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ -- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС -- ЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Доп. точки доступа:
Национальный исследовательский технологический ун-т "МИСиС". Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников

Перейти к просмотру издания

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-14/16650)

Шифр в сводном ЭК: 1d911164bd420eb5c24fb62653182d06

Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур с нанометровыми размерами : курс лекций / С. Ю. Юрчук, 2013. - 44 с. - Текст : непосредственный.Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Моделирование наносистем методами молекулярной динамики : курс лекций / С. Ю. Юрчук, 2013. - 46 с. - Текст : электронный.Полупроводниковые и оптоэлектронные приборы : курс лекций / С. Ю. Юрчук [и др.], 2004. - 111 с. - Текст : непосредственный.Юрчук С.Ю. Приборы квантовой и оптической электроники : курс лекций / С. Ю. Юрчук [и др.], 2016. - 117 с. (Введено оглавление). - Текст : электронный.Юрчук С.Ю. Основы математического моделирования : учеб. пособие / С. Ю. Юрчук, 2014. - 107 с. (Введено оглавление). - Текст : электронный.Юрчук С.Ю. Основы математического моделирования : учеб. пособие / С. Ю. Юрчук, М. Н. Орлова, 2009. - 89 с. - Текст : непосредственный.Юрчук С.Ю. Формирование ионнолегированных фоточувствительных биполярных структур на фосфиде галлия и арсенид-фосфиде галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. Ю. Юрчук, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.

Фетисов В.Г. Основы математического моделирования : учебное пособие / В. Г. Фетисов, М. В. Мицик, Д. В. Медведев, 2009. - 199 с. - Текст : непосредственный.Маликов Р.Ф. Основы математического моделирования : учебное пособие / Р. Ф. Маликов, 2010. - 366 с. - Текст : электронный.Зелинский А.Н. Основы математического моделирования / А. Н. Зелинский, 1991. - 234 с. - Текст : непосредственный.