Приложение
для AndroidПолное описание
Палатник, Л. С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин. - М. : Энергия, 1973. - 295 с. : ил. - Библиогр.: с. 285-293 (170 назв.). - 6000 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322 |
Рубрики:
Полупроводниковые пленки
Доп. точки доступа:
Сорокин, В.К.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/3335)
Шифр в сводном ЭК: d5d929f683d2c0583590e05b4f779e2b
Научные и учебно-методические труды д.т.н. профессора В.К.Сорокина : ежегодник / Нижегородский гос. технический ун-т, Научно-техническая б-ка, 2005. - 59 с. - Текст : непосредственный.Электропрокатные и уплотнительные материалы : учебное пособие / Г. Н. Гаврилов, И. М. Мальцев, В. К. Сорокин [и др.], 2007. - 108 с. - Текст : непосредственный.Сорокин В.К. Основы материаловедения и конструкционные материалы : учебное пособие / В. К. Сорокин, 2006. - 225 с. - Текст : непосредственный.
Шуваев Г.В. Резка неметаллических материалов алмазными кругами / Г. В. Шуваев, В. К. Сорокин, Ю. Н. Зимицкий, 1989. - 80 с. - Текст : непосредственный.Сорокин В.К. Технология изготовления и оборудование по производству порошковых и композиционных материалов и изделий : учеб. пособие / В. К. Сорокин, Л. С. Шмелев, 2011. - 183 с. - Текст : непосредственный.Производство порошкового проката / Под ред.В.К.Сорокина, 2002. - 294 с. - Текст : непосредственный.Нижегородский государственный технический университет. Факультет материаловедения и высокотемпературных технологий: от МТФ к ФМВТ : Учеб. пособие / И. О. Леушин [и др.], 2005. - 158 с. - Текст : непосредственный.Гуткин Т.И. Активные элементы световодного тракта : Учеб. пособие для студентов специальности 23.06 / Т. И. Гуткин, А. В. Касьянов, В. К. Сорокин, 1991. - 239 с. - Текст : непосредственный.Эффективность организации переработки молока в хозяйствах / Н. М. Морозов [и др.], 2007. - 114 с. - Текст : непосредственный.Палатник Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, 1973. - 295 с. - Текст : непосредственный.Сорокин В.К. Разработка металлических пористых и алмазосодержащих тонколистовых материалов и технологий их изготовления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.02.01 / В. К. Сорокин, 2001. - 28 c. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.
Scheller K. Entstehung eines Nichtgleichgewichtszustandes in einem gekoppelten System aus Elektron-Loch Plasma und akustischen Phononen nach optischer Anregung in einer Halbleiterschicht : Diss. / K.Scheller, 1992. - 85 S. - Текст : непосредственный. Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный.Курило И.В. Структура и физико-механические свойства кристаллов и пленок соединений АII ВVI / И. В. Курило, В. П. Алехин, 2011. - 570 с. - Текст : непосредственный.Металлооксидные пленки: синтез, свойства и применение : монография / С. И. Рембеза [и др.], 2018. - 171 с. - Текст : непосредственный.Ершов И.В. Введение в физику и технологию планарных наноструктур : учебное пособие / И. В. Ершов, В. В. Илясов, 2018. - 99 с. - Текст : непосредственный.Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный.Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.Атакулов Ш.Б. Термические и радиационно-стимулированные процессы в поликристаллических пленках халькогенидов свинца / Ш.Б.Атакулов,И.М.Конанбаев, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный.Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Палатник Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, 1973. - 295 с. - Текст : непосредственный.Carmona M.I.A. Herstellung und Ramanspektroskopische Untersuchungen epitaktischer Schichten von Ge, Si Ge-Mischkristallen und Si/Ge Ubergittern : Diss. / M.I.A.Carmona, 1989. - 197 S. - Текст : непосредственный.Nebel C.E. Ladungstragertransprt und Rekombination in a-SiGe:H : Diss. / C.E.Nebel, 1990. - 174 S. - Текст : непосредственный.Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер, 2007. - 283 с. - Текст : непосредственный.Милехин А.Г. О повышении точности определения плазменной частоты по ИК-спектрам отражения эпитаксиальных пленок / А. Г. Милехин, О. А. Макаров, М. П. Синюков, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный.Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Гребенник А.В. Оптико-тензиметрическое исследование нестехиометрии CdTe, ZnSe и ZnTe : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. В. Гребенник, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания