Приложение
для AndroidПолное описание
Designing with field-effect transistors : diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner ; Сост.Rev. E. Oxner. - 2nd ed. - New York, NY [etc.] : McGraw-Hill, 1990. - 296 мкфш. : ill. - Текст : непосредственный.
Указ. в конце кн.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323(086.2) |
Рубрики:
Транзисторы полевые
Доп. точки доступа:
Oxner, E.\сост.rev.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): MF-92-15943)
Шифр в сводном ЭК: 7dee31cd61bb8dac3a0cd9ed235988ab
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыLi T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.
Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с. - Текст : непосредственный.Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный.Lee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный.Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный.Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный.Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный.Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный.Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный.Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный.HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽