Приложение
для AndroidПолное описание
Sypli, A. Zur Untersuchung von Einzelelektroneneffekten in ultrakleinen Al-Al2O3-Al-Tunnelkontakten : Diss. / A.Sypli. - Karlsruhe, 1998. - 106 S. : Ill. - (Wissenschaftliche Berichte / FZKA, ISSN 0947-8620 ; 6063). - Текст : непосредственный.
Рез.англ.Библиогр.: c.97-103
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9(043) | |
| 621.382.3(043) |
Рубрики:
Контакт металл-полупроводник
Транзисторы
Кл.слова (ненормированные): КОНТАКТ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК -- ТРАНЗИСТОР
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17669/6063)
Шифр в сводном ЭК: 06c77c40f23e7e47abb60f1f7a69380a
Kraus S. Xerogelstrukturen als Sensormatrices : монография / S. Kraus, J. Goschnick ; Ed: C. A. Melendres, A. Tadjeddine, 1996. - 99 S. - Текст : непосредственный.Muller S. Messungen an PZT-Keramiken / S. Muller, 1999. - 33 S. - Текст : непосредственный.Beuchle G. Hydrolyse von Sodalith zur in situ Konditionierung saurer Porenwasser mit technischen Basen durch Neutralisation und Sekundarphasenbildung : сборник научных трудов / G. Beuchle, 1999. - 151 S. - Текст : непосредственный.Stieglitz R. Kann man das Erdmagnetfeld im Labor simulieren? / R. Stieglitz, U. Muller, 1999. - 29 S. - Текст : непосредственный.Bernatzki A. Geometrische Interpretation neuronaler Netze / A. Bernatzki, 1999. - 123 S. - Текст : непосредственный.Seiter Ch. Numerische Simulation turbulenter Auftriebsstromungen in horizontalen Kanalen : сборник научных трудов / Ch. Seiter, 1995. - XI,172 S. S. - Текст : непосредственный.Compatibility of 31 metals,alloys and coatings with static Pb-17Li eutectic mixture / H. Feuerstein, H. Grabner, J. Oschinski, J. Beyer, 1995. - 161 p. - Текст : непосредственный.Schirra M. Das Umwandlungsverhalten der hochwarmfesten martensitischen Stahle mit 8-14 Cr / M. Schirra, H. Finkler, 1995. - 38 S. - Текст : непосредственный.OPTIFER,ein weiterer Schritt zur Entwicklung niedrigaktivierender martensitischer Stahle : сборник научных трудов / M. Schirra, K. Ehrlich, S. Heger, M. T. Hernandez, 1995. - 41 S. - Текст : непосредственный.Lindemann K. Objektorientierte Modellierung am Beispiel eines Mikrosystems zur Messung von Beschleunigungen / K. Lindemann, H. Eggert, W. Suss, 1995. - II,102 S. S. - Текст : непосредственный.Scaffidi-Argentina F. Modellierung des Schwellens und der Tritium-Freisetzung von bestrahltem Beryllium : сборник научных трудов / F. Scaffidi-Argentina, 1995. - XIII,139 S. S. - Текст : непосредственный.Wien A. Ein Beitrag zur Analyse von quasi-optischen Wellentypwandlern in Hochleistungsgyrotrons : сборник научных трудов / A. Wien, 1995. - 129 S. - Текст : непосредственный.Hermanutz D. Neutroneninduzierte Verlagerungsschadigung von Beryllium im Blanket eines (d,t)-Fusionsreaktors / D. Hermanutz, 1995. - V,101 S. S. - Текст : непосредственный.Chung-I C. Herstellung und Charakterisierung von gesputterten Bornitrid- und Borcarbid- Schichten und deren Modifikation durch lonenimplantation : сборник научных трудов / C. Chung-I, 1995. - 254 S. - Текст : непосредственный.Gruber C. Numerische Simulation von Gyrotronkanonen mit BFCPIC und BFCRAY : сборник научных трудов / C. Gruber, 1995. - II,69 S. S. - Текст : непосредственный.Reimann J. Report of working group MHD for the Blanket Concept Selection Exercise (BCSE) / J. Reimann, G. Benamati, R. Moreau, 1995. - 48 p. - Текст : непосредственный.Bethge K. Gerate zum Auffinden und Bewerten von holzzersetzender Faule in Baumen / K. Bethge, C. Mattheck, E. Hunger, 1995. - 36 S. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Elzer M. Die Vieldraht-Proportionalkammern von KASCADE bei Luftschauern mit hoher Teilchendichte / M. Elzer, 1996. - 60 S. - Текст : непосредственный.Kuntz M. Bestimmung der Hohenverteilung stratospharischer Spurengase aus Emissionsspektren eines bodengebundenen Millimeterwellen-Radiometers / M. Kuntz, 1996. - IX,135 S. S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыFuturetech : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. 2(1986) : Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough, 1986. - 16 p. - Текст : непосредственный.Greenfield J.D. Practical transistors and linear integrated circuits / J. D. Greenfield, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. - Текст : непосредственный.Schafer B.-J. Einfluss dunner Zwischenschichten auf die Bandkantendiskontinuitat am Ge/GaAs(110)-Halbleiterkontakt / B.-J. Schafer, 1990. - 98 S. - Текст : непосредственный. Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.Шидловский А.К. Транзисторные преобразователи с улучшенной электромагнитной совместимостью / А. К. Шидловский, А. К. Шидловский, А. В. Козлов, Н. С. Комаров, Г. А. Москаленко, 1993. - 271 c. - Текст : непосредственный.Игумнов Д.В. Цифровые транзисторные элементы / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина, 1998. - 63 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 1 : 2SA12.. 2SA1732, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах, 1973. - 207, [1] с. - Текст : непосредственный.Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники, 1974. - 256 с. - Текст : непосредственный.Бочкарева Л.В. Переходы Шотки / Л. В. Бочкарева, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.
Appenzeller J. Quantentransistor im zweidimensionalen Elektronengas hoher Beweglichkeit : Diss. / J.Appenzeller, 1995. - 140 S. - Текст : непосредственный.Nieder J. Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren : Diss. / J.Nieder, 1992. - 168 S. - Текст : непосредственный.Божков В.Г. Контакты металл-полупроводник: физика и модели / В. Г. Божков, 2016. - 526 с. - Текст : непосредственный.Loopstra O.B. AMORPHOUS Mo/Si MULTILAYERS : interdiffusion and structural relaxation; crystallization: Diss. / O.B.Loopstra, 1992. - 113 p. - Текст : непосредственный.Транзисторы : учебное пособие / А. С. Мазнев [и др.], 2017. - 47 с. - Текст : непосредственный.Lundstrom M.S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation / M. S. Lundstrom, J. Guo, 2006. - VI, 217 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Давыдов В.Ю. Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ю. Давыдов, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Лоскутов С.А. Релаксация зарядового состояния структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Лоскутов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.Г. Квантовые точки I и II типа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дайнека Д.В. Электронные свойства границ раздела Cs/Si и Ba/Si при субмонослойных покрытиях : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Дайнека, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кулик Л.В. Экситонные эффекты в заряженной 2Д магнитоплазме : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Кулик, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред,в многослойных структурах и в сверхрешетках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. И. Берил, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.Рудаков В.И. Неизотермические процессы в системах на основе кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. И. Рудаков, 1998. - 35 с. - Текст : непосредственный.Штенберг В.Б. Конфигурационное взаимодействие и резонансы в наноструктурах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Б. Штенберг, 2003. - 15 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.И. Электронно-энергетические и оптические характеристики гексагонального нитрида галлия с дефектами замещения / С. И. Новиков, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенеманская Г.В. Электронные свойства ультратонких границ раздела металл-металл и металл-полупроводник : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. В. Бенеманская, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽