Полное описание
Sekigawa, T.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.323
Рубрики: Моп-транзисторы
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/1872/923)
Шифр в сводном ЭК: 3fcb310909078dde6c962a0956d9516e
Tomura S. Studies on programming languages and their processors for the programming language system "Tsukubane" / S. Tomura, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Iwasaki A. Development of optical observation methods for material processing in microgravity / A.Iwasaki, 1996. - I,65 p. p. - Текст : непосредственный. Study on alkali metal thermoelectric converter / K. Tanaka, A. Negishi, T. Honda, T. Fujii, 1995. - 64 p. - Текст : непосредственный. Inoue I.H. Electronic states of correlated transition metal oxides: Ca1-x Srx VO3 and Sr2RuO4 / I. H. Inoue, 1999. - v,121 p. p. - Текст : непосредственный. Watanabe.Nonlinear behavior of twin-stripe semiconductor lasers and its application to optical logic operations / Watanabe, 1992. - 92 p. - Текст : непосредственный. Ikegami K. Quasi one-dimensional spin system in Langmuir-Blodgett films of N-docosylpyridinium-bistetracyanoquinodimethane / K. Ikegami, 1993. - 57 p. - Текст : непосредственный. Kawanami H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H. Kawanami, 1991. - 87 p. - Текст : непосредственный. Sobagaki H. Study on standardization of object colors / H. Sobagaki, 1999. - 116 p. - Текст : непосредственный. Yamaguchi Y. Studies on data-driven computer for symbol processing / Y. Yamaguchi, 1994. - 96 p. - Текст : непосредственный. Saito T. A study on establishment of VUV detector standards / T. Saito, 1994. - 73 p. - Текст : непосредственный. Kurita T. A study on applications of statistical methods to elexible information processing / T. Kurita, 1993. - 201 p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Kaneko H. Electrochemical studies on catalytic reaction with redox complex ions and oxoanions / H.Kaneko, 1996. - 60 p. - Текст : непосредственный. Mineta S. Preparation of hard ceramic films by laser PVD method using high power CO-2 laser / S.Mineta,A.Yamada,A.Obara, 1991. - 100 p. - Текст : непосредственный. Tanaka T. Study on the hopfield neural networks for solving combinatorial optimization problems / T.Tanaka, 1999. - 65 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников, 2011. - 799 с. - Текст : непосредственный. Lancaster D. CMOS-Kochbuch : Ubersetzung vom Englisch / D.Lancaster, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный. Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный. Croon J.A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen, 2005 r=on-line Narendra S.G. Leakage in nanometer CMOS technologies / S. G. Narendra, A. Chandrakasan, 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 2, 2004. - 535 с. - Текст : непосредственный. Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный. Nagel N. Losungswachstum von Siliziumschichten auf Siliziumdioxid und Charakterisierung der Schichten : Diss. / N.Nagel, 1993. - 140 S. - Текст : непосредственный. Sekigawa T. study of new structure short channel MOS transistors / T.Sekigawa, 1991. - 110 p. - Текст : непосредственный. Emunds A. Dynamische und kinetische Eigenschaften eines quasi 2-dimensionalen Elektronengases : Diss. / A.Emunds, 1990. - 116 S. - Текст : непосредственный. SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный. Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов, 2021. - 116 с. - Текст (визуальный) : непосредственный. Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко, 2010. - 407 с. - Текст : непосредственный. Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - XVII, 218 p. - Текст : непосредственный. Падеров В.П. Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирования МДП структур на соединениях А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Падеров, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный. Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В. А. Высоцкий, О. И. Коньков, А. Г. Смирнов, Е. И. Теруков, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный. PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : монография, 1995. - 637 p. - Текст : непосредственный. Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Люмаров П.П. Применение эрмитовых поликубических интерполяционных сплайнов на сетках криволинейной формы для электрических моделей МОП-транзисторов с субмикронными размерами / П. П. Люмаров, 1990. - 39 с. - Текст : непосредственный. Малеев Н.А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидгаллиевых микроструктур с барьером Шоттки : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Н. А. Малеев, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Самсоненко Б.Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. Н. Самсоненко, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный. Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
