Приложение
для AndroidПолное описание
Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И.А.Бобровникова,М.Д.Вилисова,Л.Г.Лаврентьева,М.П.Рузайкин. - Томск : [б. и.], 1990. - 31 с. - (Препринт ; 9(1990)). - 200 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 28-31 (38 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592.002:669(04) |
Рубрики:
Галлий, арсениды -- Легирование
Кл.слова (ненормированные): АРСЕНИД -- ГАЛЛИЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ
Доп. точки доступа:
Бобровникова, И.А.
Вилисова, М.Д.
Лаврентьева, Л.Г.
Рузайкин, М.П.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/47464/9(1990))
Шифр в сводном ЭК: 9fbaba6ead4ded5e49918e972041bca7
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами / С. С. Хлудков [и др.]; под ред. О. П. Толбанова, 2016. - 256 с. - Текст : непосредственный.Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И.А.Бобровникова,М.Д.Вилисова,Л.Г.Лаврентьева,М.П.Рузайкин, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный.Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный.Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный.Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный.Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыFrey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный.Установка для промышленного легирования кремния тепловыми нейтронами на пучке N3 реактора ИБР-2 / В.В.Голиков,В.Л.Камионский,Е.Н.Кулагин и др., 1994. - 20 c. - Текст : непосредственный.Особенности дефектообразования в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,Н.М.Казючиц,А.Р.Челядинский, 2000. - 11 с. - Текст : непосредственный.Рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии, имплантированном ионами бора с энергией 92 МэВ / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.М.Зайцев и др., 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.Г. Влияние легирования и интеркалирования на свойства халькогенидов висмута / А. Г. Абдуллаев, Э. И. Велиюлин, С. Ш. Кахраманов, 1991. - 54 с. - Текст : непосредственный.Электрическая активность имплантированных ионами инертных газов слоев кремния, обусловленная примесью кислорода / Н.М.Казючиц,В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык и др., 1996. - 10 с. - Текст : непосредственный.Захаров А.Г. СВЧ-фотопроводимость ионно-облученного алмаза / А. Г. Захаров, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, 1997. - 8 с. - Текст : непосредственный.Исследование явления термической десорбции Не из образцов дефектного кремния / М. Турек [и др.], 2015. - 8 с. - Текст : непосредственный.Филипп А.Р. Особенности распределения дефектов и примеси в приповерхностном слое алмаза, облученного ионами высоких энергий / А. Р. Филипп, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, 1997. - 7 с. - Текст : непосредственный.Степанова М.Г. Образование диссипативных структур в кремнии, имплантированном бором / М. Г. Степанова, А. Б. Потапов, Г. Г. Малинецкий, 1997. - 25 с. - Текст : непосредственный.Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И.А.Бобровникова,М.Д.Вилисова,Л.Г.Лаврентьева,М.П.Рузайкин, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный.Реутов В.Ф. Упорядочение гелиевых пор по направлению движения низкоэнергетичных ионов гелия в кремнии / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный.Начальные скорости изменения концентрации и подвижности в сильнолегированном кремнии, облученном низкоэнергетическими частицами / В.Л.Литвинов,А.Л.Очеретянский,В.М.Стучебников и др., 1989. - 21 c. - Текст : непосредственный.Скобочкин А.М. Структурная диагностика поверхностей с использованием вейвлетов / А.М.Скобочкин,В.Д.Левченко, 2002. - 15 с. - Текст : непосредственный.Соболев Н.А. Neutron transmutation doping of silicon by magnesium / Н. А. Соболев, E. I. Shek, E. P. Shabalin, 1993. - 9 p. - Текст : непосредственный.Термодесорбция аргона, имплантированного в германий / М. Турек, К. Пышняк, А. Дроздзель, Ю. А. Ваганов, 2019. - 10, [1] с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽