Полное описание
> SMT/ASIC 1989 : Surface mount technologies application specific IC 1989Vortrage, gehalten auf dem Internationalen Kongress Mai 9-11, 1989, N@:urnberg / hrsg. H. Reichl ; Hrsg. H. Reichl. - Heidelberg : Huthig, 1989. - 323,XI S. S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.77.002.72(063) |
Рубрики:
Интегральные схемы -- Производство -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Reichl, H.\hrsg.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/23431)>
Шифр в сводном ЭК: 850fc84b3326a0a575aab94cd487ecba
Micro system technologies 90 : сборник / Ed. H. Reichl, 1990. - XV,858 p. p. - Текст : непосредственный.Micro system technologies 91 : монография / Ed.: R. Krahn, H. Reichl, 1991. - 552 p. - Текст : непосредственный.
Hybridintegration : Technologie und Dickschichtschaltungen / hrsg. H. Reichl, 1988. - 320 S. - Текст : непосредственный.SMT/ASIC 1989 : Surface mount technologies application specific IC 1989Vortrage, gehalten auf dem Internationalen Kongress Mai 9-11, 1989, N@:urnberg / hrsg. H. Reichl, 1989. - 323,XI S. S. - Текст : непосредственный.Surface mount technologies,ASIC & design automation technologies,hybrid & advanced packaging technologies : 5.intern.Fachmesse und Kongress 11.-13.Juni 1991:Tagungsband / hrsg.: H. Reichl, hrsg.: A. Eder, 1991. - 689 S. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыProceedings:IEEE multi-chip module conference,March 18-20,1992,Santa Cruz(Ca) / MCMC-92, 1992. - XII,181 p. p. - Текст : непосредственный.SMT/ASIC 1989 : Surface mount technologies application specific IC 1989Vortrage, gehalten auf dem Internationalen Kongress Mai 9-11, 1989, N@:urnberg / hrsg. H. Reichl, 1989. - 323,XI S. S. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽