Приложение
для AndroidПолное описание
Борисенко, В. Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / В.Е.Борисенко;Под ред.В.А.Лабунова. - Минск : Наука и техника, 1992. - 247 с. : ил. - ISBN 5-343-00821-6. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.209-247
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.002 |
Рубрики:
Полупроводники -- Термическая обработка
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-92/6810)
Шифр в сводном ЭК: 440cec1e38a6fe07f9449fbc1b46258d
Борисенко В.Е. Наноэлектроника : учебное пособие / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, Е. А. Уткина, 2009. - 223 с. - Текст : непосредственный.
Физика: опорный программированный конспект учебника : Метод. пособие / В.М.Дерябин,В.Е.Борисенко,В.А.Михеев,Л.А.Платонова, 2002. - 195 с. - Текст : непосредственный.Лабораторный практикум по физике для химиков : Учеб.пособие для хим.спец.вузов / В.Е.Борисенко,В.М.Дерябин,В.А.Игнатова,А.И.Сапожников;Под ред.В.М.Дерябина, 1994. - 302 c. - Текст : непосредственный.Борисенко В.Е. Спинтроника : учеб. пособие / В. Е. Борисенко, А. Л. Данилюк, Д. Б. Мигас, 2017. - 229 с. - Текст : непосредственный.Борисенко В.Е. Водородные связи анилинов: экспериментальное и теоретическое исследование комплексов различного состава : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 02.00.04 / В. Е. Борисенко, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.Дерябин В.М. Курс физики для химиков : Учеб. пособие для студентов спец. "Химия" ун-тов / В.М.Дерябин,В.Е.Борисенко, 1991. - 696 с. - Текст : непосредственный.Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / В.Е.Борисенко;Под ред.В.А.Лабунова, 1992. - 247 с. - Текст : непосредственный.Борисенко В.Е. Локальные комплексные очистные сооружения в агропромышленном комплексе / В. Е. Борисенко, В. В. Сивков, П. П. Мещеряков. - Текст : непосредственный // Символ науки. - Уфа. - 2016. - № 11 ч. 4. - с. 9-10Наноэлектроника. Теория и практика : учебник / В. Е. Борисенко [и др.], 2013. - 366 с. - Текст : непосредственный.Борисенко В.Е. Разработка и исследование ионно-плазменного процесса получения многокомпонентных кремнийсодержащих пленок с использованием электронного воздействия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. Е. Борисенко, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыFrey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Савицкий А.В. Получение и физические свойства теллурида кадмия / А. В. Савицкий, 1990. - 64 с. - Текст : непосредственный.Джаманбалин К.К. Радиационная модификация поверхности полупроводниковых материалов : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. К. Джаманбалин, 2002. - 51 с. - Текст : непосредственный.Pearton S. J. Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics / S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, 2006. - XII, 374 p. - Текст : непосредственный.Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Papers selected from presentations at the 5th international symposium.. held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) , 1998. - 172 p. - Текст : непосредственный.Crucial issues in semiconductor materials and processing technologies : материалы временных коллективов / Ed. S. Coffa, 1992. - XIX,538 p. p. - Текст : непосредственный.Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный.Шокина Д.И. Влияние термообработок в водороде на эволюцию примесно-дефектной подсистемы кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. И. Шокина, 1995. - 14 с. - Текст : непосредственный.Захаров А.А. Физико-химические основы размерной обработки полупроводников. Механическая обработка / А. А. Захаров, В. А. Юзова, 1997. - 217 с. - Текст : непосредственный.Никифоров А.И. Исследование встраивания и десорбции сурьмы в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. И. Никифоров, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Клебанова И.В. Синтез самонастраивающихся систем управления технологическими процессами сухого травления кремния : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. В. Клебанова, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽