Приложение
для AndroidПолное описание
Манукянц, А. Р. Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем / А. Р. Манукянц. - 2010. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 21-23 (11 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.76-047.84(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-17027)
Шифр в сводном ЭК: 08ef0fd29db3c892aab2e056582b8a25
Манукянц А.Р. Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем / А. Р. Манукянц, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Манукянц А.Р. Поверхностные свойства металлических систем / А. Р. Манукянц, В. А. Созаев, 2017. - 219 с. - Текст : непосредственный.
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМанукянц А.Р. Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем / А. Р. Манукянц, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.Моисеев К.М. Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники / К. М. Моисеев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Муслимов А.Э. Управляемая перестройка поверхности кристаллических подложек для формирования эпитаксиальных наноструктур / А. Э. Муслимов, 2018. - 43 с. - Текст : непосредственный.Осипов А.А. Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности : специальность 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / А. А. Осипов, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный.Муслимов А.Э. Влияние рельефа подложек лейкосапфира на процессы роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия и частиц золота : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.18 / А. Э. Муслимов, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Смирнов К.Ю. Глубокая очистка оксида диазота : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / К. Ю. Смирнов, 2010. - 20 с. - Текст : непосредственный.Амиров И.И. Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро-наномеханических устройств : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / И. И. Амиров, 2010. - 45 с. - Текст : непосредственный.Амиров И.И. Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / И. И. Амиров, 2010. - 45 с. - Текст : непосредственный.Йе Тун Тэйн.Методы управления режимами диффузионных установок и контроля качества топологий в микро и наноэлектронике : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.06 / Йе Тун Тэйн, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Курбанов Х. Разработка, исследование и освоение технологии производства изделий из коррозионно-стойких сплавов на основе алюминия методами пластического деформирования для микроэлектроники и электротехники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.16.05 / Х. Курбанов, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Мяконьких А.В. Мониторинг плазмохимических процессов формирования микро- и наноструктур методами зондовой диагностики : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. В. Мяконьких, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Турцевич А.С. Формирование из газовой фазы функциональных слоев субмикронных структур микроэлектроники : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / А. С. Турцевич, 2010. - 52 с. - Текст : непосредственный.Матецкий А.В. Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Матецкий, 2012. - 23 с. - Текст : непосредственный.Кривченко В.А. Плазмохимическое осаждение углеродных нано- и микроструктур для применения в электронике : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / В. А. Кривченко, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный.Ветошкин В.М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных процессов обработки кварца : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.01 / В. М. Ветошкин, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Шевченко Е.Ф. Плазменные источники химически активных ионов на основе разряда с полым катодом для обработки функциональных слоев микроплат : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.13 / Е. Ф. Шевченко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Павлов А.А. Разработка конструктивно-технологических методов высокоселективного синтеза ориентированных массивов углеродных нанотрубок на планарных подложках : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. А. Павлов, 2010. - 25 с. - Текст : непосредственный.Солодовник М.С. Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктур на основе арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии для элементов микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / М. С. Солодовник, 2013. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сагунова И.В. Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / И. В. Сагунова, 2010. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽