Приложение
для AndroidПолное описание
Дифракционные методы изучения материалов и приборных структур. Ионная имплантация : учеб. пособие / В. Т. Бублик [и др.] ; Национальный исследовательский технологический ун-т (Москва), Кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков . - М. : Издат. дом МИСиС, 2013. - 66 с. : ил. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 64-66 (38 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-87623-695-1. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Нац. исслед. технол. ун-т "МИСиС", Каф. материаловедения полупроводников и диэлектриков.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592:669.046.516 | |
| 47.01.77 | 621.38-03:548.7 |
Рубрики:
Полупроводники -- Ионное внедрение
Электронные материалы -- Методы исследования
Доп. точки доступа:
Бублик, В.Т.
Щербачев, К.Д.
Воронова, М.И.
Мильвидский, А.М.
Национальный исследовательский технологический ун-т (Москва). Кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-13/1208)
Шифр в сводном ЭК: 530dee89e76fffb58dbbe6b6226d0e64
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Григоров И.В. Применение теории нелинейных волновых процессов в радиотехнике и телекоммуникациях / И. В. Григоров, С. М. Широков, 2006. - 350 с. - Текст : непосредственный.Голубенцев А.Ф. Введение в статистическую электронику / А. Ф. Голубенцев, Ю. И. Денисов, Л. М. Минкин, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Белов П.В. Статистическая радиотехника / П. В. Белов, А. В. Назаркин, Э. М. Черниговская, 2006. - 88 с. - Текст : непосредственный.Schubert M. Infrared ellipsometry on semiconductor layer structures / M. Schubert, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный.Казаков В.А. Введение в теорию марковских процессов и некоторые радиотехнические задачи, 1973. - 231 с. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем в MATLAB 6.0 / С. Г. Герман-Галкин, 2001. - 320 с. - Текст : непосредственный.COMPEL : International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering. - Журнал выходит с 1982г. r=on-line. - Текст : электронный.Кальней С.Г. Обыкновенные дифференциальные уравнения, их применение в электронике / С. Г. Кальней, Б. И. Фридлендер, 1997. - 306 с. - Текст : непосредственный.Ластовкин А.А. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами. А. Ластовкин : специальность 01.04.03 "Радиофизика", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ластовкин, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Худяков Г.И. Статистическая теория радиотехнических систем : учебное пособие / Г. И. Худяков, 2009. - 397 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Токарев А.Б. Статистическая радиотехника : выставочные материалы / А. Б. Токарев, 2015. - 210 с. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТалипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.
Баранов Г.В. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. В. Баранов, 2018. - 22 с. - Текст : непосредственный.Карасев П.А. Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / П. А. Карасев, 2017. - 28 с. - Текст : непосредственный.Феклистов К.В. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии оствальдовского созревания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. В. Феклистов, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Балакирев Н.А. Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Балакирев, 2014. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зацепин Д.А. Ионная модификация функциональных материалов : учеб. пособие / Д. А. Зацепин, И. А. Вайнштейн, С. О. Чолах, 2014. - 104 с. - Текст : непосредственный.Мейер Д. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Д. Мейер, Л. Эриксон, Д. Дэвис; пер. с англ. под ред. В. М. Гусева, 1973. - 296 с. - Текст : непосредственный.Матасов М.Д. Влияние спектрального состава света и фазового состава полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / М. Д. Матасов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карабешкин К.В. Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn средних энергий : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гуда А.А. Внедрение примесных атомов в наноразмерные полупроводники ZnO, AlN, InN: рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Гуда, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный.Тимошина М.И. Влияние термообработки и легирования на свойства мнокристаллического кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. И. Тимошина, 2011. - 21 с. - Текст : непосредственный.Еримеев Г.А. Особенности взаимодействия низкоэнергетических ионов аргона с поверхностью кристаллических моноарсенидов со структурой сфалерита : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Г. А. Еримеев, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Perevoschikov V.A. Gettering defects in semiconductors / V. A. Perevoschikov, V. D. Skoupov, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Образование фазы силицида при имплантации низкоэнергетичных ионов Mo+ и Ta+ в кремний / Э.Х.Еникеев,А.Г.Любимов,О.Р.Людчик и др.;.. Отд. колебаний, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Бурыкин Б.Н. Программа расчета распределения имплантированных ионов в аморфных телах методом Монте-Карло / Б. Н. Бурыкин, В. В. Иванов, К. С. Клоповский, 1990. - 18 c. - Текст : непосредственный.Дифракционные методы изучения материалов и приборных структур. Ионная имплантация : учеб. пособие / В. Т. Бублик [и др.], 2013. - 66 с. - Текст : непосредственный.Применение методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Н.Н.Герасименко,А.А.Гузев,Г.Л.Курышев и др., 1991. - 39 c. - Текст : непосредственный.Мараров, Всеволод Витальевич. Исследование самоорганизации фуллеренов C60 и C70 на модифицированной металлами поверхности Si(111) : специальность 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мараров Всеволод Витальевич, 2022. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кононина, Анастасия Владимировна. Модификация свойств пористого кремния при помощи ионных пучков : 1.3.5 - физическая электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кононина Анастасия Владимировна, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽